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国際公開番号: WO/2014/171146 国際出願番号: PCT/JP2014/002190
国際公開日: 23.10.2014 国際出願日: 17.04.2014
IPC:
H01L 31/0256 (2006.01) ,H01L 31/036 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
0256
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
0248
半導体本体に特徴のあるもの
036
それらの結晶構造または結晶面の特定の方向に特徴のあるもの
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA[JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.[JP/JP]; 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
発明者: SASAKI, Akito; JP
OOZU, Hideyuki; JP
KATAOKA, Yoshinori; JP
KAKUSHIMA, Kuniyuki; JP
IWAI, Hiroshi; JP
代理人: SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; PMO Kanda Tsukasa-machi, 8-1, Kanda Tsukasa-machi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010048, JP
優先権情報:
2013-08776618.04.2013JP
2013-12487613.06.2013JP
発明の名称: (EN) PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION MODULE
(FR) MODULE DE PRODUCTION D’ÉNERGIE PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 太陽光発電モジュール
要約:
(EN) The present invention provides a photovoltaic power generation module provided with a metal silicide layer and having high power generation efficiency. A photovoltaic power generation module provided with a polycrystalline metal silicide layer as a power generation layer, wherein the average grain size (A) of the polycrystalline metal silicide layer is greater than or equal to the film thickness (B) of the polycrystalline metal silicide layer (A≥B).
(FR) La présente invention concerne un module de production d'énergie photovoltaïque doté d'une couche de siliciure de métal et ayant un rendement élevé de production d'énergie. Un module de production d'énergie photovoltaïque selon l'invention est doté d'une couche de siliciure de métal polycristalline comme couche de production d'énergie, la dimension moyenne des grains (A) de la couche de siliciure de métal polycristalline étant supérieure ou égale à l'épaisseur de film (B) de la couche de siliciure de métal polycristalline (A ≥ B).
(JA)  金属シリサイド層を具備し、高い発電効率を有する太陽光発電モジュールを提供する。発電層として多結晶金属シリサイド層を具備する太陽光発電モジュールにおいて、多結晶金属シリサイド層の平均結晶粒径Aは、上記多結晶金属シリサイド層の膜厚B以上(A≧B)である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)