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1. (WO2014168104) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/168104    国際出願番号:    PCT/JP2014/060057
国際公開日: 16.10.2014 国際出願日: 07.04.2014
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
出願人: PS4 LUXCO S.A.R.L. [LU/LU]; 208, Val des Bons Malades, Luxembourg L2121 (LU) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
KIKUCHI, Masanori [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: KIKUCHI, Masanori; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2013-082249 10.04.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device that can prevent an increase in bit line contact resistance. Each of a plurality of bit line contact plugs at which the upper surface of a plurality of bit line contact regions and the bottom surface of a bit line extending in a first direction contact is configured from: a first plug that contacts the upper surface of the bit line contact region; and a second plug that contacts the upper surface of the first plug. The first plug has a first lateral surface and second lateral surface that oppose each other in the first direction. The second plug has a first end section and second end section that oppose each other in the first direction. The gap between the first end sections and second end sections is wider than the gap between the first lateral surfaces and second lateral surfaces.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut empêcher une augmentation de résistance de contact de lignes de bits. Chaque fiche parmi une pluralité de fiches de contact de lignes de bits au niveau desquelles la surface supérieure d'une pluralité de régions de contact de lignes de bits et la surface inférieure d'une ligne de bits s'étendent dans un contact de première direction est constituée : d'une première fiche qui se trouve en contact avec la surface supérieure de la région de contact de lignes de bits ; et d'une seconde fiche qui se trouve en contact avec la surface supérieure de la première fiche. La première fiche comporte une première surface latérale et une seconde surface latérale qui se font face l'une à l'autre dans la première direction. La seconde fiche comporte une première section d'extrémité et une seconde section d'extrémité qui se font face l'une à l'autre dans la première direction. L'espace qui sépare les premières sections d'extrémité et les secondes sections d'extrémité est plus large que l'espace qui sépare les premières surfaces latérales et les secondes surfaces latérales.
(JA) ビット線コンタクト抵抗の増大を防止できる、半導体装置を提供する。複数のビット線コンタクト領域の上面と第1方向に延在するビット線の下面とに接する、複数のビット線コンタクトプラグの各々は、ビット線コンタクト領域の上面に接する第1プラグと、第1プラグの上面に接する第2プラグとからなる。第1プラグは、第1方向に対向する第1側面および第2側面を有する。第2プラグは、第1方向に対向する第1端部および第2端部を有する。第1端部と第2端部との間の間隔は、第1側面と第2側面との間の間隔より長い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)