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1. (WO2014162979) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2014/162979 国際出願番号: PCT/JP2014/058888
国際公開日: 09.10.2014 国際出願日: 27.03.2014
IPC:
H01L 31/06 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
発明者: TSUJINO Kazuya; null
SAKAI Toshihiko; null
KOIDE Naoki; null
代理人: KAWAKAMI Keiko; INTELIX Patent & Law Firm, Dojima Axis Building, 2-28, Dojimahama 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
優先権情報:
2013-07630701.04.2013JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約:
(EN) A photoelectric conversion device (10) is provided with an n-type single crystal silicon substrate (1), an amorphous thin film (2), a transparent conductive film (3), and electrodes (4). The n-type single crystal silicon substrate (1) has a recessed and projected structure (TX1) on the light incident-side surface. The amorphous thin film (2) is arranged on the n-type single crystal silicon substrate (1) in contact with the recessed and projected structure (TX1) of the n-type single crystal silicon substrate (1), and is provided with a recessed and projected structure (TX2) on the light incident-side surface. The recessed and projected structure (TX2) is smaller in the sizes of recesses and projections than the recessed and projected structure (TX1). The amorphous thin film (2) is formed of an i-type amorphous thin film/p-type amorphous thin film or a p-type amorphous thin film. The transparent conductive film (3) is arranged on the amorphous thin film (2) in contact with the amorphous thin film (2). The electrodes (4) are arranged at a desired distance from each other on the transparent conductive film (3) in contact with the transparent conductive film (3).
(FR) La présente invention se rapporte à un dispositif de conversion photoélectrique (10) qui comprend un substrat de silicium monocristallin de type n (1), un film mince amorphe (2), un film conducteur transparent (3) et des électrodes (4). Le substrat de silicium monocristallin de type n (1) présente une structure évidée et projetée (TX1) sur la surface côté incident de la lumière. Le film mince amorphe (2) est agencé sur le substrat de silicium monocristallin de type n (1) en contact avec la structure évidée et projetée (TX1) du substrat de silicium monocristallin de type n (1) et comprend une structure évidée et projetée (TX2) sur la surface côté incident de la lumière. Les dimensions des évidements et des projections de la structure évidée et projetée (TX2) sont plus petites que celles de la structure évidée et projetée (TX1). Le film mince amorphe (2) est formé d'un film mince amorphe de type i/film mince amorphe de type p ou d'un film mince amorphe de type p. Le film conducteur transparent (3) est agencé sur le film mince amorphe (2) en contact avec le film mince amorphe (2). Les électrodes (4) sont agencées à une distance souhaitée les unes des autres sur le film conducteur transparent (3) en contact avec le film conducteur transparent (3).
(JA)  光電変換装置(10)は、n型単結晶シリコン基板(1)と、非晶質薄膜(2)と、透明導電膜(3)と、電極(4)とを備える。n型単結晶シリコン基板(1)は、光入射側の表面に凹凸構造(TX1)を有する。非晶質薄膜(2)は、n型単結晶シリコン基板(1)の凹凸構造(TX1)に接してn型単結晶シリコン基板(1)上に配置され、光入射側の表面に凹凸構造(TX2)を有する。凹凸構造(TX2)は、凹凸サイズが凹凸構造(TX1)よりも小さい。非晶質薄膜(2)は、i型非晶質薄膜/p型非晶質薄膜、またはp型非晶質薄膜からなる。透明導電膜(3)は、非晶質薄膜(2)に接して非晶質薄膜(2)上に配置される。電極(4)は、所望の間隔で透明導電膜(3)に接して透明導電膜(3)上に配置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)