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1. (WO2014162795) ESD保護デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/162795    国際出願番号:    PCT/JP2014/054403
国際公開日: 09.10.2014 国際出願日: 25.02.2014
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/866 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
発明者: KATO, Noboru; (JP).
NAKAISO, Toshiyuki; (JP)
代理人: KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
優先権情報:
2013-079978 05.04.2013 JP
2013-126659 17.06.2013 JP
発明の名称: (EN) ESD PROTECTIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(JA) ESD保護デバイス
要約: front page image
(EN)The present invention is provided with a Si substrate (10), an ESD protective circuit (10A), a pad (P1, P2), a rewiring layer (20), and an insulating resin film (30). The ESD protective circuit (10A) is formed on the Si substrate (10). The pad (P1, P2) is formed on a front surface of the Si substrate (10) and is electrically connected with a first and second input terminal of the ESD protective circuit (10A). The rewiring layer (20) is formed on the front surface of the Si substrate (10), and is electrically connected with the pad (P1, P2) and a metal-plated film (23A, 23B). The insulating resin film (30) is formed on a rear surface of the Si substrate (10). An (ESD) protective device capable of suppressing the influence of external noise and the like is thereby provided.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques (DES), comprenant un substrat de Si (10), un circuit de protection contre les décharges électrostatiques (10A), une pastille (P1, P2), une couche de nouveau câblage (20), et un film de résine isolant (30). Le circuit de protection contre les décharges électrostatiques (10A) est formé sur le substrat de Si (10). La pastille (P1, P2) est formée sur une surface avant du substrat de Si (10), et est connectée électriquement à une première et à une seconde borne d'entrée du circuit de protection contre les décharges électrostatiques (10A). La couche de nouveau câblage (20) est formée sur la surface avant du substrat de Si (10), et est connectée électriquement à la pastille (P1, P2) et à un film métallisé (23A, 23B). Le film de résine isolant (30) est formé sur la surface arrière du substrat de Si (10). De ce fait, il est proposé un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques capable de supprimer l'influence du bruit externe et d'autres nuisances semblables.
(JA) Si基板(10)と、Si基板(10)に形成されたESD保護回路(10A)と、Si基板(10)の表面に形成され、ESD保護回路(10A)の第1および第2の入出力端と導通しているパッド(P1,P2)と、Si基板(10)の表面に形成され、パッド(P1,P2)と金属めっき膜(23A,23B)とを導通させる再配線層(20)と、Si基板(10)の裏面に形成された絶縁性樹脂膜(30)とを備える。これにより、外部からのノイズなどの影響を抑制できる(ESD)保護デバイスを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)