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1. (WO2014162775) 炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/162775    国際出願番号:    PCT/JP2014/052861
国際公開日: 09.10.2014 国際出願日: 07.02.2014
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: YAMADA, Satomi; (JP).
TSUNO, Takashi; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2013-075747 01.04.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device (1) includes the following steps. A silicon carbide substrate (80) including a first main surface (80b) and a second main surface (80a) opposite the first main surface (80b) is prepared. Etching the first main surface (80b) causes an etch pit (3a) including a micro pipe to appear on the first main surface (80b). Two-dimensional location information of the micro pipe on the first main surface (80b) is obtained. The silicon carbide substrate is cut into a plurality of chips (C12-C65). The chips (C12-C65) are selected on the basis of the two-dimensional location information. The first main surface (80b) is a silicon surface or a surface that is offset from the silicon surface by an angle of 10° or less. It is thereby possible to provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device capable of accurately selecting a chip including a micro pipe.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium (1), comprenant les étapes suivantes. Une étape consistant à préparer un substrat de carbure de silicium (80) comprenant une première surface principale (80b) et une seconde surface principale (80a) à l'opposé de la première surface principale (80b). Une étape consistant à graver la première surface principale (80b), ce qui provoque l'apparition sur la première surface principale (80b) d'une figure d'attaque (3a) incluant un micro tuyau. Une étape consistant à obtenir des informations d'emplacement bidimensionnelles du micro tuyau sur la première surface principale (80b). Une étape consistant à découper le substrat de carbure de silicium en une pluralité de puces (C12 à C65). Une étape consistant à sélectionner les puces (C12 à C65) en se basant sur les informations d'emplacement bidimensionnelles. La première surface principale (80b) est une surface de silicium ou une surface qui est décalée de la surface de silicium d'un angle inférieur ou égal à 10°. De ce fait, il est possible de proposer un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium capable de sélectionner de manière précise une puce incluant un micro tuyau.
(JA) 炭化珪素半導体装置(1)の製造方法は以下の工程を有している。第1の主面(80b)と、第1の主面(80b)と反対の第2の主面(80a)とを有する炭化珪素基板(80)が準備される。第1の主面(80b)をエッチングすることで、第1の主面(80b)にマイクロパイプを含むエッチピット(3a)が出現する。第1の主面(80b)におけるマイクロパイプの2次元位置情報が取得される。炭化珪素基板が複数のチップ(C12~C65)に切断される。2次元位置情報に基づいてチップ(C12~C65)の選別が行われる。第1の主面(80b)は珪素面または珪素面から10°以下の角度オフした面である。これにより、精度良くマイクロパイプを含むチップを選別可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)