WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014162730) 温度補償機能付センサ素子とそれを用いた磁気センサおよび電力測定装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/162730    国際出願番号:    PCT/JP2014/001905
国際公開日: 09.10.2014 国際出願日: 01.04.2014
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), G01R 21/08 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: SIRC CO., LTD [JP/JP]; Osaka City University Incubator, 3-3-138, Sugimoto, Sumiyoshi-ku, Osaka-shi, Osaka 5588585 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
OSAKA CITY UNIVERSITY [JP/JP]; 3-3-138 Sugimoto Sumiyoshi-ku, Osaka-shi, Osaka 5588585 (JP) (JP only)
発明者: TSUJIMOTO, Hiroaki; (JP)
代理人: OHNO Seiji; OHNO & PARTNERS, Marunouchi Kitaguchi Building 21F, 6-5, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2013-076469 01.04.2013 JP
発明の名称: (EN) SENSOR ELEMENT WITH TEMPERATURE COMPENSATING FUNCTION, AND MAGNETIC SENSOR AND ELECTRIC POWER MEASURING DEVICE WHICH USE SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTEUR À FONCTION DE COMPENSATION DE TEMPÉRATURE ET CAPTEUR MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF DE MESURE DE PUISSANCE ÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 温度補償機能付センサ素子とそれを用いた磁気センサおよび電力測定装置
要約: front page image
(EN)A magnetoresistance effect magnetic sensor has a problem that the sensitivity thereof as a sensor lowers because the magnetic characteristic of a magnetic film itself lowers due to an increase in surrounding temperature. A sensor element characterized by comprising: a magnetic film having a magnetoresistance effect; a pair of electrodes facing each other with the magnetic film therebetween in order to pass a current through the magnetic film; a longitudinal bias magnetic field application magnet for generating a first bias magnetic field in a direction in which the electrodes face each other; and a lateral bias magnetic field application magnet for generating a second bias magnetic field in a direction perpendicular to the longitudinal bias magnetic field application magnet, and in that the temperature characteristic of the longitudinal bias magnetic field application magnet is larger than the temperature characteristic of the lateral bias magnetic field application magnet.
(FR)Le problème des capteurs magnétiques à effet magnétorésistif est que leur sensibilité diminue à cause de la diminution de la caractéristique magnétique d'un film magnétique due à une augmentation de la température environnante. L'invention concerne donc un élément de capteur comprenant : un film magnétique à effet magnétorésistif ; une paire d'électrodes se trouvant l'une en face de l'autre avec le film magnétique entre elles, afin que le film magnétique puisse être traversé par un courant ; un aimant appliquant un champ magnétique à polarisation longitudinale servant à générer un premier champ magnétique de polarisation dans une direction dans laquelle les électrodes se trouvent l'une en face de l'autre ; et un aimant appliquant un champ magnétique à polarisation latérale servant à générer un second champ magnétique de polarisation dans une direction perpendiculaire à l'aimant appliquant un champ magnétique à polarisation longitudinale, la caractéristique de température de l'aimant appliquant un champ magnétique à polarisation longitudinale étant supérieure à la caractéristique de température de l'aimant appliquant un champ magnétique à polarisation latérale.
(JA) 磁気抵抗効果型磁気センサにとっては、周囲の温度が上がることによって、磁性膜自身の磁気特性が低下するために、センサとしての感度が低下するという問題があった。 磁気抵抗効果を有する磁性膜と前記磁性膜に電流を流すための前記磁性膜を介して対向した一対の電極と、前記電極の対向方向に第1のバイアス磁界を発生させる縦バイアス磁界付加磁石と、前記縦バイアス磁界付加磁石に直角方向に第2のバイアス磁界を発生させる横バイアス磁界付加磁石を有し、前記縦バイアス磁界付加磁石の温度特性が前記横バイアス磁界付加磁石の温度特性より大きいことを特徴とするセンサ素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)