WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014157685) ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2014/157685 国際出願番号: PCT/JP2014/059326
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 28.03.2014
IPC:
B32B 9/00 (2006.01)
出願人: LINTEC CORPORATION[JP/JP]; 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者: SUZUKI Yuuta; JP
IWAYA Wataru; JP
NAGAMOTO Koichi; JP
KONDO Takeshi; JP
代理人: OHISHI Haruhito; JP
優先権情報:
2013-07408129.03.2013JP
発明の名称: (EN) GAS BARRIER LAMINATE, MEMBER FOR ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) STRATIFIÉ FORMANT BARRIÈRE CONTRE LES GAZ, ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) ガスバリア性積層体、電子デバイス用部材及び電子デバイス
要約:
(EN) The present invention is a gas barrier laminate comprising a substrate and a gas barrier unit, the gas barrier laminate being characterized in that: the gas barrier unit includes at least two inorganic layers; at least one of said at least two inorganic layers is a silicon oxynitride layer; the silicon oxynitride layer includes an inclined composition region in which the abundance of oxygen decreases and the abundance of nitrogen increases toward the substrate side in the thickness direction within the layer which has a thickness of 25 nm or greater; and the ratio of the thickness of said inclined composition region to the thickness of the entire silicon oxynitride layer is 0.15 or greater. The present invention also relates to: a member for electronic devices that is made of said gas barrier laminate; and an electronic device comprising said member for electronic devices. The present invention provides: a gas barrier laminate having extremely good gas barrier properties and bending resistance; a member for electronic devices that is made of said gas barrier laminate; and an electronic device comprising said member for electronic devices.
(FR) La présente invention a trait à un stratifié formant barrière contre les gaz, qui comprend un substrat et une unité formant barrière contre les gaz, ce stratifié étant caractérisé en ce que : ladite unité formant barrière contre les gaz comporte au moins deux couches inorganiques ; au moins une de ces couches inorganiques est une couche d'oxynitrure de silicium ; ladite couche d'oxynitrure de silicium inclut une région de composition inclinée où l'abondance d'oxygène diminue et l'abondance d'azote augmente vers le côté du substrat dans le sens de l'épaisseur à l'intérieur de la couche qui a une épaisseur de 25 nm ou plus ; et le rapport entre l'épaisseur de ladite région de composition inclinée et l'épaisseur de la totalité de la couche d'oxynitrure de silicium est égal à 0,15 ou plus. La présente invention concerne également : un élément pour dispositifs électroniques qui est constitué dudit stratifié formant barrière contre les gaz ; et un dispositif électronique comprenant ledit élément pour dispositifs électroniques. Cette invention permet d'obtenir : un stratifié formant barrière contre les gaz qui a d'excellentes propriétés de barrière contre les gaz et une excellente résistance à la flexion ; un élément pour dispositifs électroniques qui est constitué dudit stratifié formant barrière contre les gaz ; et un dispositif électronique comportant ledit élément pour dispositifs électroniques.
(JA)  本発明は、基材と、ガスバリア性ユニットとを有するガスバリア性積層体であって、前記ガスバリア性ユニットが、少なくとも2層の無機層を含み、前記少なくとも2層の無機層のうち、少なくとも1層は酸窒化珪素層であり、前記酸窒化珪素層が、厚みが25nm以上の層中の厚み方向に対して基材側へ向かうに従って酸素元素の存在比が減少し、窒素元素の存在比が増加する傾斜組成領域を有するものであり、前記傾斜組成領域の厚みの、酸窒化珪素層全体の厚みに対する比が0.15以上のものであることを特徴とするガスバリア性積層体、このガスバリア性積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイスである。本発明によれば、きわめて高いガスバリア性と耐折曲げ性を有するガスバリア性積層体、このガスバリア性積層体からなる電子デバイス用部材、及び、前記電子デバイス用部材を備える電子デバイスが提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)