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1. (WO2014157626) 積層型半導体装置の層間充填材用の組成物、積層型半導体装置、および積層型半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/157626    国際出願番号:    PCT/JP2014/059139
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 28.03.2014
IPC:
C08L 63/00 (2006.01), C08K 3/00 (2006.01), C08K 5/17 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
発明者: SUGIYAMA, Masaya; .
KAWASE, Yasuhiro; .
IKEMOTO, Makoto; .
KIRITANI, Hideki; .
YAMAZAKI, Masanori;
代理人: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
優先権情報:
2013-070084 28.03.2013 JP
2013-267644 25.12.2013 JP
2014-060707 24.03.2014 JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR INTERLAYER FILLER OF LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE, LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION POUR REMPLISSAGE INTERCOUCHE DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ, ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ
(JA) 積層型半導体装置の層間充填材用の組成物、積層型半導体装置、および積層型半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a composition capable of forming an interlayer filler layer for a layered semiconductor device, said interlayer filler layer having a high K1c value, a high glass transition temperature and a low viscosity and assuring a stable bonding even if the surrounding environment varies. The composition comprises an epoxy compound (A) having a viscosity of 50 Pa·s or lower at 25°C, an amine compound (B) having a melting point or softening point of 80°C or higher, and another amine compound (C) having a melting point or softening point of lower than 80°C, wherein the amount of the amine compound (C) is 1 part by weight or more and less than 40 parts by weight per 100 parts by weight of the sum of the amine compound (B) and the amine compound (C).
(FR)La présente invention concerne une composition capable de former une couche de remplissage intercouche pour un dispositif semi-conducteur stratifié, ladite couche de remplissage intercouche ayant une valeur K1c élevée, une température de transition vitreuse élevée et une faible viscosité et assurant une fixation stable même si l’environnement ambiant varie. La composition comprend un composé époxy (A) ayant une viscosité de 50 Pa•s ou moins à 25 °C, un composé aminé (B) ayant un point de fusion ou un point de ramollissement de 80 °C ou plus, et un autre composé aminé (C) ayant un point de fusion ou un point de ramollissement inférieur à 80 °C, la quantité du composé aminé (C) étant de 1 partie en poids ou plus et inférieure à 40 parties en poids pour 100 parties en poids de la somme du composé aminé (B) et du composé aminé (C).
(JA) 高K1c値、高ガラス転移温度、且つ低粘度を両立し、環境変化によっても安定した接合が維持されるような積層型半導体装置用の層間充填材層を形成することができる組成物を提供する。 25℃での粘度が50Pa・s以下であるエポキシ化合物(A)と、融点または軟化点が80℃以上であるアミン化合物(B)と、融点または軟化点が80℃未満であるアミン化合物(C)とを含有し、該アミン化合物(C)の割合が、前記アミン化合物(B)と前記アミン化合物(C)との合計を100重量部としたときに、1重量部以上40重量部未満である組成物。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)