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1. (WO2014157525) 光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/157525    国際出願番号:    PCT/JP2014/058877
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 27.03.2014
IPC:
H01L 31/06 (2012.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
発明者: KIMOTO, Kenji;
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2013-069704 28.03.2013 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
要約: front page image
(EN)The present application pertains to a photoelectric conversion element equipped with a semiconductor (1), an intrinsic layer (4) containing hydrogenated amorphous silicon and provided on the semiconductor (1), a first-conductive-type layer (6), a second-conductive-type layer (8), a first insulating layer (5) for covering part of the intrinsic layer (4), a first electrode (9), and a second electrode (10), the photoelectric conversion element being characterized in that a part of the first-conductive-type layer (6) and a part of the second-conductive-type layer (8) are positioned above the region where the intrinsic layer (4) and the first insulating layer (5) contact one another.
(FR)La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique, comprenant : un semi-conducteur (1) ; une couche intrinsèque (4) contenant du silicium amorphe hydrogéné et déposée sur le semi-conducteur (1) ; une couche du premier type conducteur (6) ; une couche du second type conducteur (8) ; une première couche isolante (5) servant à recouvrir une partie de la couche intrinsèque (4) ; une première électrode (9) ; et une seconde électrode (10). L'élément de conversion photoélectrique est caractérisé en ce qu'une partie de la couche du premier type conducteur (6) et une partie de la couche du second type conducteur (8) sont positionnées au-dessus de la région où la couche intrinsèque (4) et la première couche isolante (5) se trouvent en contact l'une avec l'autre.
(JA)本願は、半導体1、該半導体1上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層4、第1導電型層6、第2導電型層8、前記真性層4の一部を被覆する第1絶縁層5、第1電極9、第2電極10とを備えた光電変換素子であって、前記第1導電型層6の一部および前記第2導電型層8の一部は、前記真性層4と前記第1絶縁層5とが接する領域の上方に位置していることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)