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1. (WO2014157521) 光電変換素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/157521    国際出願番号:    PCT/JP2014/058870
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 27.03.2014
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
発明者: KIMOTO, Kenji;
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2013-069746 28.03.2013 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
要約: front page image
(EN)A photoelectric conversion element equipped with: an intrinsic layer that contains hydrogenated amorphous silicon and is provided on a first-conductivity-type semiconductor; a first-conductivity-type layer that contains first-conductivity-type hydrogenated amorphous silicon and covers part of the intrinsic layer; a second-conductivity-type layer that contains second-conductivity-type hydrogenated amorphous silicon; and an insulating layer. Therein, a first electrode is positioned on the first-conductivity-type layer with the second-conductivity-type layer interposed therebetween, at least a part of the first electrode is positioned above the region where the first-conductivity-type layer and the intrinsic layer contact each another, and at least a part of a second electrode is positioned above the region where the second-conductivity-type layer and the intrinsic layer contact each another.
(FR)La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique, comprenant : une couche intrinsèque contenant du silicium amorphe hydrogéné et déposée sur un semi-conducteur d'un premier type conducteur ; une couche du premier type conducteur contenant du silicium amorphe hydrogéné du premier type conducteur et recouvrant une partie de la couche intrinsèque ; une couche de second type conducteur contenant du silicium amorphe hydrogéné du second type conducteur ; et une couche isolante. Dans cet élément de conversion photoélectrique, une première électrode est positionnée sur la couche du premier type conducteur avec la couche du second type conducteur interposée entre elles. Au moins une partie de la première électrode est positionnée au-dessus de la région où la couche du premier type conducteur et la couche intrinsèque se trouvent en contact l'une avec l'autre. Et au moins une partie de la seconde électrode est positionnée au-dessus de la région où la couche du second type conducteur et la couche intrinsèque se trouvent en contact l'une avec l'autre.
(JA) 第1導電型の半導体上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層と、真性層の一部を被覆する第1導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第1導電型層と、第2導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第2導電型層と、絶縁層とを備え、第1電極は、第2導電型層を介して、第1導電型層上に設けられているとともに、第1電極の少なくとも一部が第1導電型層と真性層とが接する領域の上方に位置しており、第2電極の少なくとも一部が第2導電型層と真性層とが接する領域の上方に位置している光電変換素子である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)