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1. (WO2014157439) 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/157439    国際出願番号:    PCT/JP2014/058722
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 27.03.2014
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), C09J 4/00 (2006.01), C09J 11/06 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: KOYAMA Ichiro; (JP).
IWAI Yu; (JP).
YOSHIDA Masafumi; (JP)
代理人: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2013-066655 27.03.2013 JP
発明の名称: (EN) LAMINATE FOR TEMPORARY BONDING IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) STRATIFIÉ POUR COLLAGE TEMPORAIRE DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a laminate for temporary bonding in semiconductor device manufacture, the laminate enabling the reliable and easy provision of temporary support for a member (such as a semiconductor wafer) being mechanically or chemically processed, the temporary support being easily be removable, even after high-temperature processing, without damaging the member when processing has been completed. Also provided is a semiconductor device manufacturing method. This laminate for temporary bonding in semiconductor device manufacture has (A) a release layer and (B) an adhesive layer, and the release layer (A) includes (a1) a first release layer which is adjacent to the adhesive layer (B) and has a softening point of 200°C or greater, and (a2) a second release layer which is adjacent to the first release layer (a1) and includes a resin, 5 mass% or more of which resin dissolves at 25°C in at least one of prescribed solvents after curing.
(FR)L'invention concerne un stratifié pour collage temporaire dans la fabrication de dispositif semi-conducteur, le stratifié permettant la fourniture fiable et aisée d'un support temporaire pour un élément (tel qu'une tranche de semi-conducteur) qui est traité mécaniquement ou chimiquement, le support temporaire étant facilement retiré, même après un traitement à haute température, sans endommager l'élément lorsque le traitement a été achevé. L'invention concerne également un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur. Ce stratifié pour collage temporaire dans la fabrication de dispositif semi-conducteur comprend (A) une couche de décollement et (B) une couche adhésive, et la couche de décollement (A) comprend (a1) une première couche de décollement qui est adjacente à la couche adhésive (B) et qui possède un point de ramollissement de 200°C ou plus, et (a2) une seconde couche de décollement qui est adjacente à la première couche de décollement (a1) et qui comprend une résine, 5 % en masse ou plus de ladite résine se dissolvant à 25°C dans au moins l'un des solvants prescrits, après durcissement.
(JA)被処理部材(半導体ウエハなど)に機械的または化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できる、半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法の提供。(A)剥離層と、(B)接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合用積層体であって、前記(A)剥離層が、(a1)200℃以上の軟化点を有し、(B)接着性層と隣接する第一剥離層と、(a2)硬化後に所定の溶剤の少なくとも1種に25℃で5質量%以上溶解する樹脂を有し、前記(a1)第一の剥離層と隣接する第二剥離層を有する、半導体装置製造用仮接合用積層体。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)