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1. (WO2014157206) 多層配線基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/157206    国際出願番号:    PCT/JP2014/058291
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 25.03.2014
IPC:
H05K 3/46 (2006.01), C25D 7/00 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
出願人: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
発明者: YOSHIDA Nobuyuki; (JP)
代理人: MINAKAWA Kazuyasu; c/o HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
優先権情報:
2013-069058 28.03.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER WIRING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CÂBLAGE MULTICOUCHE
(JA) 多層配線基板の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a multilayer wiring substrate, wherein an insulation layer and a metal foil in the top layer thereof are integrally layered on an inner-layer material in which wiring is formed, an opening for a via hole is provided in the metal foil and the insulation layer, a base electroless plating layer is formed, and the via hole opening is then filled with an electrolytic filler plating layer, the method for manufacturing a multilayer wiring substrate comprising first forming the electrolytic filler plating layer to an extent so as to not completely fill the via hole opening after the formation of the base electroless plating layer, subsequently etching the surface of the electrolytic filler plating layer, and then completely filling the via hole opening with the electrolytic filler plating layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de câblage multicouche, caractérisé en ce qu'une couche d'isolation et une feuille métallique dans la couche supérieure de celle-ci sont déposées en couches solidaires sur un matériau de couche interne dans lequel est formé un câblage, une ouverture pour un trou de raccordement est ménagée dans la feuille métallique et la couche d'isolation, une couche de dépôt autocatalytique de base est formée et l'ouverture du trou de raccordement est ensuite remplie avec une couche de dépôt électrolytique de remplissage, le procédé de fabrication d'un substrat de câblage multicouche comprenant tout d'abord la formation de la couche de dépôt électrolytique de remplissage de manière à ne pas remplir complètement l'ouverture du trou de raccordement après la formation de la couche de dépôt autocatalytique de base, puis le décapage de la surface de la couche de dépôt électrolytique de remplissage et le remplissage complet de l'ouverture du trou de raccordement avec la couche de dépôt électrolytique de remplissage.
(JA) 配線形成した内層材上に絶縁層とその上層に金属箔とを積層一体化し、前記金属箔及び絶縁層にビアホール用の穴を設け、下地無電解めっき層を形成した後、電解フィルドめっき層で前記ビアホール用穴を穴埋めする多層配線基板の製造方法であって、前記下地無電解めっき層の形成後に、まず前記ビアホール用穴を完全に充填しない程度の電解フィルドビアめっき層を形成し、次に前記電解フィルドめっき層の表面をエッチングした上で、電解フィルドめっき層によって前記ビアホール用穴を完全に穴埋めする多層配線基板の製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)