WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
09:00 CESTの土曜日 18.08.2018のメンテナンス理由で数時間使用できません
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014157000) 炭素ドープ酸化亜鉛膜及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2014/157000 国際出願番号: PCT/JP2014/057877
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 20.03.2014
IPC:
C30B 29/16 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C30B 23/08 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
出願人: NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY[JP/JP]; 29, Aza Kiichi, Gokiso-Cho, Showa-Ku, Nagoya-Shi, Aichi 4660061, JP
NGK INSULATORS, LTD.[JP/JP]; 2-56, Suda-Cho, Mizuho-Ku, Nagoya-Shi, Aichi 4678530, JP
発明者: TANEMURA Masaki; JP
KAWASAKI Shinji; JP
KATSUDA Yuji; JP
SATO Yosuke; JP
代理人: TAKAMURA Masaharu; Maxwell International IP Law Firm, Unity Forum II 3F, 1-4-1 Nerima, Nerima-ku, Tokyo 1760001, JP
優先権情報:
2013-06231525.03.2013JP
発明の名称: (EN) CARBON-DOPED ZINC OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) FILM D'OXYDE DE ZINC DOPÉ AU CARBONE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 炭素ドープ酸化亜鉛膜及びその製造方法
要約: front page image
(EN) Disclosed is a carbon-doped zinc oxide film which is produced by at least one film formation process selected from a sputtering process and a PLD process and is composed of zinc oxide polycrystals doped with carbon at a concentration of 1.0 × 1019 atoms/cm3 or more. The carbon-doped zinc oxide film can be produced by a method comprising the steps of: providing a composite target comprising zinc, oxygen and carbon as constituent elements; and forming a film by a sputtering process and/or a PLD process using the composite target to thereby form the carbon-doped zinc oxide film. According to the present invention, a zinc oxide film doped with carbon at a high concentration can be produced and provided in a relatively simple and inexpensive manner with high reliability.
(FR) L'invention porte sur un film d'oxyde de zinc dopé au carbone, qui est produit par au moins un procédé de formation de film choisi parmi un procédé de pulvérisation cathodique et un procédé PLD, et est composé de polycristaux d'oxyde de zinc dopés au carbone à une concentration de 1,0 x 1019 atomes/cm3, ou plus. Le film d'oxyde de zinc dopé au carbone peut être produit par un procédé comprenant : la fourniture d'une cible composite comprenant du zinc, de l'oxygène et du carbone en tant qu'éléments constitutifs ; et la formation d'un film par un procédé de pulvérisation cathodique et/ou un procédé PLD par utilisation de la cible composite de façon à former de ce fait le film d'oxyde de zinc dopé au carbone. Selon la présente invention, un film d'oxyde de zinc dopé au carbone à une concentration élevée peut être produit et fourni d'une manière relativement simple et économique, avec une grande fiabilité.
(JA)  スパッタリング法及びPLD法から選択される少なくともいずれか1種の成膜法により製造される、炭素が1.0×1019atoms/cm以上の濃度でドープされた酸化亜鉛多結晶からなる膜である、炭素ドープ酸化亜鉛膜が開示される。この炭素ドープ酸化亜鉛膜は、亜鉛、酸素、及び炭素を構成元素とする複合ターゲットを用意する工程と、この複合ターゲットを用いてスパッタリング法及びPLD法の少なくともいずれか1種による成膜を行い、それにより前記炭素ドープ酸化亜鉛膜を形成する工程とを含んでなる方法により製造することができる。本発明によれば、炭素が高濃度でドープされた酸化亜鉛膜を、比較的簡便かつ安価な手法で確実に製造及び提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)