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1. (WO2014156986) シリコン単結晶生成装置、シリコン単結晶生成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156986    国際出願番号:    PCT/JP2014/057833
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 20.03.2014
予備審査請求日:    09.01.2015    
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), B22D 27/04 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
出願人: KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION [JP/JP]; 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8128581 (JP).
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 1-2-1, Sengen, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047 (JP)
発明者: KAKIMOTO Koichi; (JP).
HARADA Hirofumi; (JP).
GAO BING; (JP)
代理人: HIRAI Yasuo; Daihakata Bldg. 9F 2-20-1, Hakataekimae, Hakata-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8120011 (JP)
優先権情報:
2013-061698 25.03.2013 JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION APPARATUS, AND SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD
(FR) APPAREIL DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶生成装置、シリコン単結晶生成方法
要約: front page image
(EN)Provided is a silicon single crystal production apparatus, whereby it becomes possible to produce a silicon single crystal having high quality and a large size readily employing a casting method. The apparatus is equipped with: a crucible (3, 4) in which a seed crystal of a silicon single crystal is held on a part of the bottom surface thereof and in which solid and/or liquid silicon is also held; a heat-absorbing section in which heat generated on a region on which the seed crystal of the silicon single crystal is placed in the crucible (3, 4) can be absorbed through the bottom surface of the crucible (3, 4); and a heating section in which a region surrounding the region to be cooled by the heat-absorbing section can be heated with a heat source arranged below the bottom surface of the crucible (3, 4). In the apparatus, the vector (A) of a heat flux generated by the heat-absorbing section and the vector (B) of a heat flux generated by the heating section are controlled while keeping the relationship represented by the formula: A×B < 0.
(FR)L'invention concerne un appareil de production de monocristal de silicium, grâce à quoi il devient possible de produire un monocristal de silicium ayant une qualité élevée et une grande dimension employant facilement un procédé de coulée. L'appareil est équipé de : un creuset (3, 4) dans lequel un cristal germe d'un monocristal de silicium est maintenu sur une partie de la surface inférieure de celui-ci et dans lequel du silicium solide et/ou liquide est également maintenu; une section absorbant la chaleur dans laquelle la chaleur générée sur une région sur laquelle le cristal germe du monocristal de silicium est placé dans le creuset (3,4) peut être absorbée par la surface inférieure du creuset (3, 4); et une section de chauffage dans laquelle une région entourant la région à refroidir par la section d'absorption de chaleur peut être chauffée par une source de chaleur disposée au-dessous de la surface inférieure du creuset (3, 4). Dans l'appareil, le vecteur (A) d'un flux de chaleur généré par la section d'absorption de chaleur et le vecteur (B) d'un flux de chaleur généré par la section de chauffage sont contrôlés tout en conservant la relation représentée par la formule : A × B < 0.
(JA) 鋳造法を利用して高品質で大型のシリコン単結晶を容易に生成することができるシリコン単結晶生成装置を提供する。 底面部の一部の領域に単一のシリコン単結晶の種結晶が保持されると共に、固体及び/又は液体のシリコンが保持される坩堝3,4と、坩堝3,4内に配置されたシリコン単結晶の種結晶の領域を坩堝3,4の底面部から吸熱する吸熱部と、吸熱部により冷却される領域の周辺領域を坩堝3,4の底面部より下方の熱源により加熱する加熱部とを備え、吸熱部による熱流束のベクトルAと加熱部による熱流束のベクトルBとが、A×B<0の関係を保って制御される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)