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1. (WO2014156919) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156919    国際出願番号:    PCT/JP2014/057667
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 20.03.2014
IPC:
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
出願人: PS4 LUXCO S.A.R.L. [LU/LU]; 208, Val des Bons Malades, Luxembourg L2121 (LU) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
YOSHINO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US only).
KAWAGUCHI, Gou [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: YOSHINO, Hiroshi; (JP).
KAWAGUCHI, Gou; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2013-061501 25.03.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention has a memory cell region in which memory cells are aligned in a first direction (Y direction) and a second direction (X direction) orthogonal to the first direction, a word line contact region adjacent to the memory cell region in the first direction (Y direction) interposed by a dummy pattern region, and first and second word lines that span a plurality of active regions aligned in the first direction (Y direction) and extend from the memory cell region to the word line contact region. A first word line and a second word line adjacent to each other within one active region located in the memory cell region constitute a word line pair. A gap in the second direction (X direction) between a first word line and a second word line that constitute a word line pair in the memory cell region is narrower than a gap in the second direction (X direction) in the word line contact region.
(FR)La présente invention concerne une région de cellules de mémoire dans laquelle les cellules de mémoire sont alignées dans une première direction (direction Y) et une seconde direction (direction X) orthogonale à la première direction, une région de contact de ligne de mots adjacente à la région de cellules de mémoire dans la première direction (direction Y) où s'interpose une région à motif fantôme et de première et seconde lignes de mots qui couvrent une pluralité de régions actives alignées dans la première direction (direction Y) et qui s'étendent à partir de la région de cellules de mémoire jusqu'à la région de contact de ligne de mots. Une première ligne de mots et une seconde ligne de mots mutuellement adjacentes dans une région active située dans la région de cellules mémoire constituent une paire de lignes de mots. Un intervalle dans la seconde direction (direction X) entre une première ligne de mots et une seconde ligne de mots qui constitue une paire de lignes de mots dans la région de cellules de mémoire est plus étroite qu'un intervalle dans la seconde direction (direction X) dans la région de contact de lignes de mots.
(JA) 半導体基板上で、第1方向(Y方向)及び第1方向に直交する第2方向(X方向)に各々整列して配置されるメモリセル領域と、ダミーパターン領域を介してメモリセル領域の第1方向(Y方向)に隣接するワード線コンタクト領域と、第1方向(Y方向)に整列する複数の活性領域に跨りメモリセル領域からワード線コンタクト領域まで延在する第1ワード線及び第2ワード線とを有する。メモリセル領域に位置する一つの活性領域内で隣接する第1ワード線と第2ワード線とはワード線ペアを構成する。ワード線ペアを構成する第1ワード線及び第2ワード線のメモリセル領域における第2方向(X方向)の間隔は、ワード線コンタクト領域における第2方向(X方向)の間隔より狭い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)