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1. (WO2014156914) III族窒化物基板の処理方法およびエピタキシャル基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156914    国際出願番号:    PCT/JP2014/057649
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 20.03.2014
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
発明者: KURAOKA Yoshitaka; (JP).
SUGIYAMA Tomohiko; (JP).
MAEHARA Sota; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2013-072508 29.03.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PROCESSING GROUP-III NITRIDE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR TRAITER UN SUBSTRAT DE NITRURE DE GROUPE III ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL
(JA) III族窒化物基板の処理方法およびエピタキシャル基板の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a method for processing a group-III nitride substrate in which a group-III nitride substrate can be obtained, the group III nitride substrate being capable of forming an electronic device having excellent characteristics in a case in which group-III nitride layers are laminated. The method for processing a group-III nitride substrate is provided with a step for performing a CMP process on the surface of the substrate, a step for increasing the temperature of the CMP-processed group-III nitride substrate in a nitrogen gas atmosphere to a prescribed annealing temperature, and a step for maintaining the group-III nitride substrate heated to the annealing temperature in a first mixed atmosphere of hydrogen gas and nitrogen gas or a second mixed atmosphere of hydrogen gas and ammonia gas for four to eight minutes inclusive.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour traiter un substrat de nitrure de groupe III dans lequel un substrat de nitrure de groupe III peut être obtenu, le substrat de nitrure de groupe III étant capable de former un dispositif électronique qui possède d'excellentes caractéristiques au cas où des couches de nitrure de groupe III sont stratifiées. Le procédé pour traiter un substrat de nitrure de groupe III comprend une étape pour réaliser un traitement CMP sur la surface du substrat, une étape pour augmenter la température du substrat de nitrure de groupe III, qui a subi un traitement CMP, dans une atmosphère de gaz d'azote jusqu'à une température de recuit prescrite, et une étape pour maintenir le substrat de nitrure de groupe III chauffé jusqu'à la température de recuit dans une première atmosphère mélangée de gaz d'hydrogène et de gaz d'azote ou une seconde atmosphère mélangée de gaz d'hydrogène et de gaz d'ammoniac pendant quatre à huit minutes, inclus.
(JA) III族窒化物層を積層した場合に特性の優れた電子デバイスを形成可能なIII族窒化物基板を得ることができる、III族窒化物基板の処理方法を提供する。III族窒化物基板の処理方法が、基板の表面をCMP処理する工程と、CMP処理後のIII族窒化物基板を窒素ガス雰囲気下で所定のアニール温度にまで昇温する工程と、アニール温度に昇温されたIII族窒化物基板を、水素ガスと窒素ガスとの第1の混合雰囲気または水素ガスとアンモニアガスとの第2の混合雰囲気中で4分以上8分以下保持する工程と、を備えるようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)