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1. (WO2014156596) 化合物半導体ウエハ、光電変換素子、およびIII-V族化合物半導体単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156596    国際出願番号:    PCT/JP2014/056229
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 11.03.2014
予備審査請求日:    08.09.2014    
IPC:
C30B 29/42 (2006.01), C30B 15/22 (2006.01), C30B 27/02 (2006.01), H01L 31/0735 (2012.01)
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
発明者: NODA, Akira; (JP).
OTA, Masaru; (JP).
HIRANO, Ryuichi; (JP)
代理人: ARAFUNE, Hiroshi; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
優先権情報:
2013-063145 26.03.2013 JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTALS
(FR) TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE COMPOSITE, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE DU GROUPE III-V
(JA) 化合物半導体ウエハ、光電変換素子、およびIII-V族化合物半導体単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)In this photoelectric conversion element wherein group III-IV compound semiconductor single crystals containing zinc as an impurity are used as a substrate, the substrate is increased in size without lowering conversion efficiency. A heat-resistant container is filled with raw material and a sealant, and the raw material and sealant are heated, thereby melting the raw material into a melt, melting the sealant, and covering the melt from the top with the sealant. The temperature inside the container is controlled such that the temperature of the top of the sealant relative to the bottom of the sealant becomes higher in a range that not equal or exceed the temperature of bottom of the sealant, and seed crystal is dipped in the melt and pulled upward with respect to the melt, thereby growing single crystals from the seed crystal. Thus, a large compound semiconductor wafer that is at least two inches in diameter and has a low dislocation density of 5,000 cm-2 can be obtained, despite having a low average zinc concentration of 5 × 1017 cm-3 to 3 × 1018 cm-3, at which a crystal hardening effect does not manifest.
(FR)Dans cet élément de conversion photoélectrique dans lequel des monocristaux de semi-conducteur composite du groupe III-IV contenant du zinc comme impureté sont utilisés comme substrat, le substrat est augmenté en taille sans diminuer l'efficacité de conversion. Un récipient résistant à la chaleur est rempli de matière première et d'un produit d'étanchéité et la matière première et le produit d'étanchéité sont chauffés, permettant ainsi de faire fondre la matière première en une masse fondue, de faire fondre le produit d'étanchéité et de recouvrir la masse fondue à partir de la partie supérieure par le produit d'étanchéité. La température à l'intérieur du récipient est contrôlée de telle sorte que la température de la partie supérieure du produit d'étanchéité par rapport à la partie inférieure du produit d'étanchéité devient supérieure dans une plage qui n'est pas égale ou ne dépasse pas la température de la partie inférieure du produit d'étanchéité, et un cristal germe est immergé dans la fonte et tiré vers le haut par rapport à la masse fondue, permettant ainsi de faire croître des monocristaux à partir du cristal germe. Ainsi, une grande tranche de semi-conducteur composite qui fait au moins deux pouces de diamètre et a une faible densité de dislocation de 5 000 cm-2 peut être obtenue, en dépit du fait qu'elle a une faible concentration moyenne en zinc de 5 × 1017 cm-3 à 3 × 1018 cm-3, à laquelle un effet de durcissement de cristal ne se manifeste pas.
(JA) Znを不純物として含有するIII-V族化合物半導体単結晶を基板とする光電変換素子において、変換効率を下げることなく、基板を大型化する。 耐熱性の容器に原料および封止剤を充填し、原料および封止剤を加熱することにより、原料を融解させ融液にするとともに、封止剤を融解させ封止剤で前記融液を上方から覆い、封止剤下部に対する封止剤上部の温度が、封止剤下部の温度以上とならない範囲で高くなるよう、容器内の温度を制御し、融液に種結晶を浸漬し、種結晶を融液に対して上方に引き上げることにより、種結晶から単結晶を成長させる。このようにすれば、Znの平均濃度が5×1017cm-3以上3×1018cm-3以下と結晶硬化効果の現れない低濃度にも拘らず、直径2インチ以上と大型で、転位密度が5000cm-2と低い化合物半導体ウエハが得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)