WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014156497) MgO-TiO焼結体ターゲット及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156497    国際出願番号:    PCT/JP2014/055346
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 04.03.2014
予備審査請求日:    08.07.2014    
IPC:
C04B 35/04 (2006.01), C04B 35/46 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G11B 5/65 (2006.01), G11B 5/82 (2006.01), G11B 5/84 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01)
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
発明者: TAKAMI Hideo; (JP).
NAKAMURA Yuichiro; (JP).
ARAKAWA Atsutoshi; (JP).
OGINO Shin-ichi; (JP)
代理人: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2013-073239 29.03.2013 JP
発明の名称: (EN) MGO-TIO SINTERED COMPACT TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE COMPRIMÉE FRITTÉE EN MGO-TIO ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) MgO-TiO焼結体ターゲット及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A MgO-TiO sintered compact comprising 25 to 90 mol% of TiO, with the remainder made up by MgO and unavoidable impurities. The present invention addresses the problem of providing: a highly dense target which has a high film deposition speed and can be subjected to direct-current (DC) sputtering by which particles are formed in a reduced amount; and a method for producing the target.
(FR)L'invention porte sur un comprimé fritté en MgO-TiO comprenant 25 à 90 % en moles de TiO, le reste étant constitué de MgO et d'impuretés inévitables. La présente invention résout le problème consistant à fournir une cible haute densité ayant une vitesse élevée de dépôt de film et pouvant être soumise à une pulvérisation cathodique en courant continu, grâce à laquelle des particules sont formées en une quantité réduite; et un procédé de production de la cible.
(JA) TiOを25~90mol%含有し、残部がMgO及び不可避的不純物からなるMgO-TiO焼結体。本発明は、成膜速度が速く、パーティクルの発生が少ない直流(DC)スパッタリングが可能な高密度のターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)