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1. (WO2014156223) 高周波回路装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156223    国際出願番号:    PCT/JP2014/050610
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 16.01.2014
IPC:
H01P 5/107 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01P 1/08 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP)
発明者: YAMAMOTO, Yohei; (JP).
HASE, Eiichi; (JP).
KASHIMA, Kenichi; (JP).
HARAMOTO, Ryoki; (JP)
優先権情報:
2013-069111 28.03.2013 JP
発明の名称: (EN) HIGH-FREQUENCY CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波回路装置
要約: front page image
(EN)Provided is a high-frequency circuit device that can prevent the occurrence of stress concentration on a dielectric substrate when the temperature is elevated due to a difference between the coefficient of thermal expansion of the package of a high-frequency module and that of a metal member for waveguide connection, and that can extract a broad band high-frequency signal to the waveguide without impairing hermeticity and with low loss. This high-frequency circuit device (1) has, in a waveguide-microstrip line converter that can perform high-frequency communication, an aluminum chassis (201) and a metal or ceramic package (11) that constitutes a high-frequency module (10) that abuts the upper part of the chassis (201). A waveguide part is provided so as to pass through the chassis (201) and the bottom of the inside of the package (11). In order to maintain the hermeticity of the package (11), a dielectric substrate (14) is disposed so as to block the waveguide part (11a) of the package (11). The dielectric substrate (14) has a thickness such that the strength thereof is sufficient to prevent the dielectric substrate from being damaged by the stress caused by the difference between the coefficient of thermal expansion of the chassis (201) and that of the package (11).
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif de circuit haute fréquence qui peut empêcher l'apparition d'une concentration de contraintes sur un substrat diélectrique lorsque la température est élevée en raison d'une différence entre le coefficient de dilatation thermique du boîtier du module haute fréquence et celui d'un élément métallique pour permettre un raccord de guide d'ondes, et qui peut extraire un signal de haute fréquence à large bande du guide d'ondes sans compromettre l'herméticité et avec une faible perte. Ce dispositif de circuit haute fréquence (1) comprend, dans un convertisseur de ligne microruban-guide d'ondes qui peut établir une communication haute fréquence, un châssis en aluminium (201) et un boîtier en métal ou en céramique (11) qui constitue un module haute fréquence (10) qui vient en butée contre la partie supérieure du châssis (201). Une partie de guide d'ondes est agencée de sorte à passer à travers le châssis (201) et le fond de la partie intérieure du boîtier (11). Afin de conserver l'herméticité du boîtier (11), un substrat diélectrique (14) est disposé de sorte à bloquer la partie de guide d'ondes (11a) du boîtier (11). Le substrat diélectrique (14) présente une épaisseur de telle sorte que la solidité de ce dernier soit suffisante pour empêcher l'endommagement du substrat diélectrique par la contrainte provoquée par la différence entre le coefficient de dilatation thermique du châssis (201) et celui du boîtier (11).
(JA) 高周波モジュールのパッケージと導波管接続用の金属部材の熱膨張係数の違いによって起こる温度上昇時の誘電体基板への応力集中の発生を回避し、気密性を損なうことなく低損失で広帯域の高周波信号を導波管に取り出すことが可能な高周波回路装置を提供する。 本発明の高周波回路装置1は、高周波通信可能な導波管-マイクロストリップ線路変換器において、アルミ製のシャーシ201とシャーシ201上部に当接された高周波モジュール10を構成するメタル又はセラミック製のパッケージ11とを有し、シャーシ201及びパッケージ11内部底面を貫通するように導波管部が設けられ、パッケージ11の気密性を保持するために、パッケージ11の導波管部11aを遮断するように設けた誘電体基板14を有し、誘電体基板14は、シャーシ201とパッケージ11の熱膨張率の違いによる応力で破損しない強度を有する厚さとする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)