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1. (WO2014156215) タングステン酸ジルコニウム

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/156215    国際出願番号:    PCT/JP2014/050226
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 09.01.2014
予備審査請求日:    04.06.2014    
C01G 41/00 (2006.01), C04B 35/622 (2006.01)
出願人: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
発明者: TAKAMURA Hiroshi; (JP).
NARITA Satoyasu; (JP).
代理人: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
2013-072707 29.03.2013 JP
(JA) タングステン酸ジルコニウム
要約: front page image
(EN)The invention of the present application provides zirconium tungstate which is characterized in that the intensity of a peak appearing in a range of 2θ = 23.5 to 23.9˚ ranges from 92 to 115% when the intensity of a diffraction peak appearing in a range from 2θ = 21.4 to 21.8˚ is 100% in X-ray diffraction. Conventionally, there is a problem that the synthesis of a crystal of zirconium tungstate takes a long time, and therefore the application of zirconium tungstate to products has not been advanced. It is reported that zirconium tungstate can be produced using a platinum crucible in a laboratory. However, this production technique is not suitable for the mass production of zirconium tungstate. There is also a problem that zirconium tungstate volatilizes easily (the weight of zirconium tungstate usually is reduced by 0.3% at 950˚C within 2 hours) and therefore it is difficult to control the chemical composition of zirconium tungstate. The invention of the present application addresses the problem of controlling the chemical composition of zirconium tungstate and improving the quality of zirconium tungstate to improve the yield of zirconium tungstate, and also addresses the problem of performing the synthesis of a crystal of zirconium tungstate within an extremely short time to reduce the cost required for the production of zirconium tungstate.
(FR)L'invention concerne un tungstate de zirconium caractérisé en ce que l'intensité d'un pic apparaissant dans une plage de 2θ de 23,5 à 23,9 ˚ est comprise entre 92 et 115 % quand l'intensité d'un pic de diffraction apparaissant dans une plage de 2θ de 21,4 à 21,8 ˚ est de 100 % en diffraction des rayons X. La synthèse d'un cristal de tungstate de zirconium pose classiquement un problème en ce qu'elle nécessite beaucoup de temps, et par conséquent l'application de tungstate de zirconium à des produits n'a pas été proposée. Il a été rapporté qu'il est possible, au laboratoire, de produire du tungstate de zirconium à l'aide d'un creuset en platine. Toutefois, cette technique de production est inadaptée à une production de masse de tungstate de zirconium. Le fait que le tungstate de zirconium se volatilise facilement (le poids de tungstate de zirconium est généralement réduit de 0,3 % à 950 °C en 2 heures) pose également un problème et il est par conséquent difficile de contrôler la composition chimique du tungstate de zirconium. La solution selon la présente invention résout le problème de contrôle de la composition chimique du tungstate de zirconium et d'amélioration de la qualité du tungstate de zirconium pour améliorer le rendement en tungstate de zirconium, et résout également le problème de réalisation de la synthèse d'un cristal de tungstate de zirconium en un temps extrêmement court afin de réduire le coût nécessaire pour la production de tungstate de zirconium.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)