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1. WO2014156123 - 化合物半導体積層体及び半導体装置

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公開番号 WO/2014/156123
公開日 02.10.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/001703
国際出願日 25.03.2014
IPC
H01L 43/06 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
06ホール効果装置
C23C 16/30 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
H01L 21/205 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
H01L 21/02395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02395Arsenides
H01L 21/02466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02466Antimonides
H01L 21/02549
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02549Antimonides
H01L 21/02576
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02576N-type
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
H01L 29/207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
207further characterised by the doping material
出願人
  • 旭化成エレクトロニクス株式会社 ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION [JP]/[JP]
  • 独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
発明者
  • 吉川　陽 YOSHIKAWA, Akira
  • 森安　嘉貴 MORIYASU, Yoshitaka
  • 小倉　睦郎 OGURA, Mutsuo
代理人
  • 森　哲也 MORI, Tetsuya
優先権情報
2013-06246925.03.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR STACK AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PILE DE SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 化合物半導体積層体及び半導体装置
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要約
(EN) The present invention is provided with: a substrate (101) having an electrical resistance of at least 1 × 105 Ωcm; a first compound semiconductor layer (102) formed on the substrate (101), doped with carbon, and provided so as to contain Ib and Sb; and a second compound semiconductor layer (103) formed on the first compound semiconductor layer (102), the second compound semiconductor layer (103) having a smaller carbon concentration than the first compound semiconductor layer (102) and containing In and Sb. The film thickness of the first compound semiconductor layer (102) is 0.005 to 0.2 μm. The carbon concentration in the first compound semiconductor layer (102) is 1 × 1015 to 5 × 1018 cm-3.
(FR) La présente invention concerne : un substrat (101) possédant une résistance électrique d'au moins 1 × 105 Ω⋅cm; une première couche semi-conductrice composée (102) formée sur le substrat (101), dopée avec du carbone et formée de façon à contenir Ib et Sb; et une seconde couche semi-conductrice composée (103) formée sur la première couche semi-conductrice composée (102), la seconde couche semi-conductrice composée (103) possédant une concentration en carbone plus petite que la première couche semi-conductrice composée (102) et contenant In et Sb. L'épaisseur de film de la première couche semi-conductrice composée (102) est de 0,005 à 0,2 µm. La concentration en carbone dans la première couche semi-conductrice composée (102) est de 1 × 1015 à 5 × 1018 cm-3.
(JA) 　電気抵抗率が１×１０５Ωｃｍ以上の基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成され、炭素がドーピングされたＩｎとＳｂを含む第一の化合物半導体層（１０２）と、第一の化合物半導体層（１０２）上に形成され、第一の化合物半導体層（１０２）よりも炭素の濃度が小さく、且つＩｎとＳｂを含む第二の化合物半導体層（１０３）と、を備える。第一の化合物半導体層（１０２）の膜厚は０．００５μｍ以上、０．２μｍ以下である。また、第一の化合物半導体層（１０２）の炭素の濃度は１×１０１５ｃｍ－３以上、５×１０１８ｃｍ－３以下である。
関連特許文献
CN105103320
KR1020150123855
US20160035839
EP2980874
JPWO2014156123
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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