(EN) The present invention is provided with: a substrate (101) having an electrical resistance of at least 1 × 105 Ωcm; a first compound semiconductor layer (102) formed on the substrate (101), doped with carbon, and provided so as to contain Ib and Sb; and a second compound semiconductor layer (103) formed on the first compound semiconductor layer (102), the second compound semiconductor layer (103) having a smaller carbon concentration than the first compound semiconductor layer (102) and containing In and Sb. The film thickness of the first compound semiconductor layer (102) is 0.005 to 0.2 μm. The carbon concentration in the first compound semiconductor layer (102) is 1 × 1015 to 5 × 1018 cm-3.
(FR) La présente invention concerne : un substrat (101) possédant une résistance électrique d'au moins 1 × 105 Ω⋅cm; une première couche semi-conductrice composée (102) formée sur le substrat (101), dopée avec du carbone et formée de façon à contenir Ib et Sb; et une seconde couche semi-conductrice composée (103) formée sur la première couche semi-conductrice composée (102), la seconde couche semi-conductrice composée (103) possédant une concentration en carbone plus petite que la première couche semi-conductrice composée (102) et contenant In et Sb. L'épaisseur de film de la première couche semi-conductrice composée (102) est de 0,005 à 0,2 µm. La concentration en carbone dans la première couche semi-conductrice composée (102) est de 1 × 1015 à 5 × 1018 cm-3.
(JA) 電気抵抗率が1×105Ωcm以上の基板(101)と、基板(101)上に形成され、炭素がドーピングされたInとSbを含む第一の化合物半導体層(102)と、第一の化合物半導体層(102)上に形成され、第一の化合物半導体層(102)よりも炭素の濃度が小さく、且つInとSbを含む第二の化合物半導体層(103)と、を備える。第一の化合物半導体層(102)の膜厚は0.005μm以上、0.2μm以下である。また、第一の化合物半導体層(102)の炭素の濃度は1×1015cm-3以上、5×1018cm-3以下である。