WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014155985) シリコン単結晶製造装置およびこれを用いたシリコン単結晶製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/155985    国際出願番号:    PCT/JP2014/001228
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 06.03.2014
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: SAKURADA, Masahiro; (JP).
HOSHI, Ryoji; (JP).
FUSEGAWA, Izumi; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2013-068130 28.03.2013 JP
発明の名称: (EN) DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL USING SAME
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM L'UTILISANT
(JA) シリコン単結晶製造装置およびこれを用いたシリコン単結晶製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a device for manufacturing a silicon single crystal which pulls a CZ silicon single crystal, wherein a ring-shaped heat shielding plate is disposed on a feedstock melt surface side of a gas distribution tube, the ring-shaped heat shielding plate having a bottom face that is inclined upward along a radial direction, the bottom face having an inner peripheral inclined face on a surrounding silicon single crystal side and an outer peripheral inclined face, an inclination angle (α) of the inner peripheral inclined face being 0-30° with respect to the horizontal direction, an inclination angle (β) of the outer peripheral inclined face being greater than 5° and 40° or less with respect to the horizontal direction, and the inclination angle (α) < the inclination angle (β), and a lower heat shielding plate is further disposed below a quartz crucible. Thus, a device for manufacturing a silicon single crystal that is capable of manufacturing a silicon single crystal in which BMD is formed uniformly and which may acquire a uniform gettering capability, and a method for manufacturing a silicon single crystal using the same are provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif de fabrication d'un monocristal de silicium qui étire un monocristal de silicium CZ, dans lequel une plaque de protection thermique en forme d'anneau est disposée sur un côté de surface de masse fondue de charge d'alimentation d'un tube de distribution de gaz, la plaque de protection thermique en forme d'anneau ayant une face inférieure qui est inclinée vers le haut le long d'une direction radiale, la face inférieure ayant une face inclinée périphérique interne sur un côté de monocristal de silicium environnant et une face inclinée périphérique externe, un angle d'inclinaison (α) de la face inclinée périphérique interne étant 0-30° par rapport à la direction horizontale, un angle d'inclinaison (β) de la face inclinée périphérique extérieure étant supérieur à 5° et 40° ou moins par rapport à la direction horizontale, et l'angle d'inclinaison (α) < l'angle d'inclinaison (β), et une plaque de protection thermique inférieure est encore disposée au-dessous d'un creuset en quartz. Ainsi, un dispositif de fabrication d'un monocristal de silicium qui est apte à fabriquer un monocristal de silicium dans lequel les BMD (micro-défauts volumiques) sont formés de façon uniforme et qui peut acquérir une capacité d'usage de getter uniforme, et un procédé de fabrication d'un monocristal de silicium l'utilisant sont proposés.
(JA) 本発明は、CZシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶製造装置であって、ガス整流筒の原料融液面側にはリング状の熱遮蔽板が配設されており、該リング状の熱遮蔽板は、径方向に沿って上方に向かって傾斜する底面を有し、該底面は、囲繞するシリコン単結晶側の内周傾斜面と、外周傾斜面とを有しており、内周傾斜面の傾斜角αは水平方向に対し0°以上30°以下であり、外周傾斜面の傾斜角βは水平方向に対し5°より大きく40°以下であり、かつ傾斜角α<傾斜角βであり、石英ルツボの下方にはさらに下部断熱板が配設されているシリコン単結晶製造装置を提供する。これにより、BMDが均一に形成され、均一なゲッタリング能力を有し得るシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶製造装置およびこれを用いたシリコン単結晶製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)