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1. (WO2014155833) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/155833    国際出願番号:    PCT/JP2013/082205
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 29.11.2013
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: TSUNOMURA, Yasufumi; (JP).
BABA, Toshiaki; (JP).
SONE, Takayoshi; (JP)
代理人: NII Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2013-068683 28.03.2013 JP
発明の名称: (EN) SOLAR BATTERY
(FR) BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
要約: front page image
(EN)Provided is a solar battery which, in a solar battery in which an amorphous silicon layer is formed upon the surface of a silicon substrate on which a texture structure is formed, is capable of reducing resistance loss caused by the amorphous silicon layer, and is capable of increasing power generation efficiency. The present invention is a solar battery provided with a silicon substrate (10) on which a texture structure, having ridges and troughs (13), is formed, and an amorphous silicon layer (20) provided upon the surface of the silicon substrate (10). In a cross-section passing through the ridges and the troughs (13), the texture structure has a pair of slanted portions (14) which are slanted so as to approach each other from a pair of mutually neighboring ridges toward a trough (13), and the trough (13) that is positioned between the slanted portions (14) has a rounded shape for which radius of curvature is less than or equal to 150 nm. The amorphous silicon layer (20) has, in the trough (13), an epitaxial growth area (23) that has grown from the trough (13) so as to become thicker than areas other than the trough (13).
(FR)La présente invention concerne une batterie solaire qui, dans une batterie solaire dans laquelle une couche de silicium amorphe est formée sur la surface d'un substrat de silicium sur lequel une structure texturée est formée, est capable de réduire la perte de résistance provoquée par la couche de silicium amorphe et capable d'accroître l'efficacité de génération de courant. La présente invention est une batterie solaire pourvue d'un substrat de silicium (10) sur lequel une structure texturée ayant des crêtes et des dépressions (13) est formée et une couche de silicium amorphe (20) prévue sur la surface du substrat de silicium (10). Dans une section transversale traversant les crêtes et les dépressions (13), la structure texturée a une paire de parties inclinées (14) inclinées de façon à s'approcher les unes les autres d'une paire de crêtes mutuellement connexes en direction d'une dépression (13) et la dépression (13) positionnée entre les parties inclinées (14) prend une forme arrondie dont le rayon de courbure est inférieur ou égal à 150 nm. La couche de silicium amorphe (20) comporte, dans la dépression (13), une zone de croissance épitaxiale (23) ayant grandi en partant de la dépression (13) de façon à devenir plus épaisse que les zones autres que la dépression (13).
(JA) テクスチャ構造が形成されたシリコン基板の表面上に、非晶質シリコン層を形成した太陽電池において、非晶質シリコン層による抵抗損失を低減することができ、発電効率を高めることができる太陽電池を提供する。 山部及び谷部13を有するテクスチャ構造が表面に形成されたシリコン基板10と、シリコン基板10の表面上に設けられた非晶質シリコン層20とを備える太陽電池であって、山部及び谷部13を通る断面において、テクスチャ構造は、互いに隣接する一対の山部から谷部13に向かって互いに近づくように傾斜している一対の傾斜部14を有しており、傾斜部14の間に位置する谷部13は、曲率半径が150nm以下であるアール形状を有しており、非晶質シリコン層20は、谷部13において、谷部13以外の領域よりも厚くなるように、谷部13から成長したエピタキシャル成長領域23を有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)