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1. (WO2014155565) 縦型半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/155565    国際出願番号:    PCT/JP2013/059023
国際公開日: 02.10.2014 国際出願日: 27.03.2013
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKAWARA Jun [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: OKAWARA Jun; (JP)
代理人: KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR VERTICAL
(JA) 縦型半導体装置
要約: front page image
(EN)In the present invention, in a structure that ensures a withstand voltage of a semiconductor device by providing channel stop regions in a semiconductor substrate area from the outer circumferential side surface to the front surface thereof, the channel stop regions are formed in a plurality of regions having different impurity concentrations. At that time, the channel stop regions are formed to have a relationship wherein the impurity concentration is increased toward the outer circumferential side surface of the semiconductor substrate, and the depth of the high impurity concentration region is equal to or more than the depth of the low impurity concentration region. Electric field concentration at the periphery of the channel stop regions is relaxed, and the withstand voltage of the semiconductor device is increased.
(FR)La présente invention concerne une structure assurant une tension de tenue d'un dispositif semi-conducteur en fournissant des régions d'arrêt de canal dans une zone de substrat semi-conducteur à partir de la surface latérale circonférentielle externe à la surface avant de celui-ci, les régions d'arrêt de canal étant formées dans une pluralité de régions ayant des concentrations d'impuretés différentes. À ce stade, les régions d'arrêt de canal sont formées de manière à créer une relation dans laquelle la concentration d'impuretés augmente vers la surface latérale circonférentielle externe du substrat semi-conducteur et la profondeur de la région à haute concentration d'impuretés est supérieure ou égale à la profondeur de la région à faible concentration d'impuretés. La concentration de champ électrique au niveau de la périphérie des régions d'arrêt de canal est atténuée et la tension de tenue du dispositif semi-conducteur est augmentée.
(JA)半導体基板の外周側面から表面に移行する個所にチャネルストップ領域を設けて半導体装置の耐圧を確保する構造において、不純物濃度が相違する複数個の領域でチャネルストップ領域を形成する。その際に、半導体基板の外周側面に接近するほど不純物濃度が高く、不純物高濃度領域の深さは不純物低濃度領域の深さ以上であるという関係とする。チャネルストップ領域の周辺における電界集中が緩和され、半導体装置の耐圧耐量が上昇する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)