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1. WO2014136660 - 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタおよび表示装置

公開番号 WO/2014/136660
公開日 12.09.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/054959
国際出願日 27.02.2014
IPC
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/363 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
CPC
C01G 19/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
19Compounds of tin
006Compounds containing, besides tin, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
H01L 21/02554
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02551Group 12/16 materials
02554Oxides
H01L 21/02565
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02565Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
H01L 29/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
24including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
H01L 29/66969
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66969of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
出願人
  • 株式会社神戸製鋼所 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO(KOBE STEEL, LTD.) [JP]/[JP]
発明者
  • 小坂 修司 KOSAKA, Shuji
  • 林 和志 HAYASHI, Kazushi
代理人
  • 植木 久一 UEKI, Kyuichi
優先権情報
2013-04736708.03.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OXIDE FOR SEMICONDUCTOR LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) OXYDE POUR COUCHE SEMI-CONDUCTRICE D'UN TRANSISTOR À COUCHE MINCE, TRANSISTOR À COUCHE MINCE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタおよび表示装置
要約
(EN) With respect to this oxide for a semiconductor layer of a thin film transistor, metallic elements that constitute the oxide comprise In, Sn, Ga, and Zn, the oxygen partial pressure when forming an oxide film on the semiconductor layer of the thin film transistor is 15 vol% or less (not including 0 vol%), the defect density of the oxide satisfies 2×1016cm-3 or less, and the mobility satisfies 6.2cm2/Vs or more.
(FR) L'invention concerne un oxyde pour une couche semi-conductrice d'un transistor à couche mince. Des éléments métalliques constituant cet oxyde comprennent In, Sn, Ga et Zn, la pression partielle de l'oxygène lors de la formation d'un film d'oxyde sur la couche semi-conductrice du transistor à couche mince est inférieure ou égale à 15 % en volume (en excluant 0 % en volume), la densité de défauts de l'oxyde satisfait 2×1016 cm-3 ou moins, et la mobilité satisfait 6,2 cm2/Vs ou plus.
(JA)  本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、酸化物を構成する金属元素がIn、Sn、Ga、およびZnからなり、前記酸化物を前記薄膜トランジスタの半導体層に成膜するときの酸素分圧が15体積%以下(0体積%を含まない)であり、前記酸化物の欠陥密度は2×1016cm-3以下、移動度は6.2cm2/Vs以上を満足する。
関連特許文献
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