(EN) With respect to this oxide for a semiconductor layer of a thin film transistor, metallic elements that constitute the oxide comprise In, Sn, Ga, and Zn, the oxygen partial pressure when forming an oxide film on the semiconductor layer of the thin film transistor is 15 vol% or less (not including 0 vol%), the defect density of the oxide satisfies 2×1016cm-3 or less, and the mobility satisfies 6.2cm2/Vs or more.
(FR) L'invention concerne un oxyde pour une couche semi-conductrice d'un transistor à couche mince. Des éléments métalliques constituant cet oxyde comprennent In, Sn, Ga et Zn, la pression partielle de l'oxygène lors de la formation d'un film d'oxyde sur la couche semi-conductrice du transistor à couche mince est inférieure ou égale à 15 % en volume (en excluant 0 % en volume), la densité de défauts de l'oxyde satisfait 2×1016 cm-3 ou moins, et la mobilité satisfait 6,2 cm2/Vs ou plus.
(JA) 本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、酸化物を構成する金属元素がIn、Sn、Ga、およびZnからなり、前記酸化物を前記薄膜トランジスタの半導体層に成膜するときの酸素分圧が15体積%以下(0体積%を含まない)であり、前記酸化物の欠陥密度は2×1016cm-3以下、移動度は6.2cm2/Vs以上を満足する。