(EN) A thin film transistor which has higher On-state current and On/Off ratio and can be driven at a lower voltage. A thin film transistor (10) is provided with: a columnar projection (8) which has a lateral surface (2a) and protrudes from the main surface of a substrate; a gate insulating layer (4), at least a part of which is provided in a channel region (CR) that extends along the lateral surface, and which contains a first layer (4a) and a second layer (4b) and has a thickness of 50 nm or less; a gate electrode (3) which is in contact with the gate insulating layer; a source electrode (5) and a drain electrode (6), which are separated from each other, and one of which is provided so as to at least partially overlap the projection, while the other being provided in a region that does not overlap the projection and the one electrode; and a semiconductor layer (7) which is in contact with at least a part of the source electrode, at least a part of the drain electrode and at least a part of the gate insulating layer within the channel region directly or with a functional layer being interposed therebetween.
(FR) L'invention concerne un transistor en couches minces qui possède un courant d'état allumé et un rapport allumé/éteint supérieurs et qui peut être attaqué à une tension inférieure. Un transistor en couches minces (10) comprend : une saillie en colonne (8) qui possède une surface latérale (2a) et qui fait saillie à partir de la surface principale d'un substrat ; une couche d'isolation de grille (4), au moins une partie de laquelle étant disposée dans une région de canal (CR) qui s'étend le long de la surface latérale, et qui contient une première couche (4a) et une seconde couche (4b) et qui possède une épaisseur de 50 nm ou moins ; une électrode de grille (3) qui est en contact avec la couche d'isolation de grille ; une électrode de source (5) et une électrode de drain (6), qui sont séparées les unes des autres, et dont l'une est disposée de façon à recouvrir partiellement la saillie, alors que l'autre est disposée dans une région qui ne recouvre pas la saillie et ladite une électrode ; et une couche de semi-conducteur (7) qui est en contact avec au moins une partie de l'électrode de source, au moins une partie de l'électrode de drain et au moins une partie de la couche d'isolation de grille dans la région de canal directement ou avec une couche fonctionnelle interposée entre celles-ci.
(JA) より高いオン電流及びオン／オフ比を有し、より低電圧で駆動できる薄膜トランジスタ。薄膜トランジスタ（１０）は、側面（２ａ）を有し、基板の主表面から突出する柱状の突出部（８）と、側面に沿って延在するチャネル領域ＣＲに少なくとも一部が設けられており、第１の層（４ａ）及び第２の層（４ｂ）を含む、厚さが５０ｎｍ以下であるゲート絶縁層（４）と、ゲート絶縁層に接しているゲート電極（３）と、ソース電極（５）及びドレイン電極（６）の一方のうちの少なくとも一部が突出部と重なるように設けられており、他方が突出部及び一方の電極と重ならない領域に設けられており、かつ互いに分離されているソース電極及びドレイン電極と、ソース電極のうちの少なくとも一部、ドレイン電極のうちの少なくとも一部、及びチャネル領域内のゲート絶縁層のうちの少なくとも一部に直接的に又は機能層を介して接している半導体層（７）とを備える。
