(EN) A dicing film according to the present invention comprises a base and an adhesive layer that is formed on the base, and the base has a melt tension at 200°C of 80 mN or more.
A dicing film for semiconductor wafers according to the present invention comprises a base and an adhesive layer that is formed on one surface of the base, and the distance (L) between the adhesive layer-side surface of the base and a surface of the adhesive layer, said surface being on the reverse side of the base-side surface, is from 20 μm to 75 μm (inclusive).
A base film for dicing according to the present invention comprises a base layer and a surface layer that is arranged on one main surface of the base layer, and the surface layer contains a polystyrene resin and a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer or a hydrogenated product thereof, with the polystyrene resin content in the surface layer being more than 50% by weight.
(FR) La présente invention se rapporte à un film de découpage en dés qui comprend une base et une couche adhésive qui est formée sur la base, et la base présente une tension à l'état fondu à une température de 200°C égale ou supérieure à 80 nM. Un film de découpage en dés pour des plaquettes de semi-conducteurs selon la présente invention comprend une base et une couche adhésive qui est formée sur une surface de la base, la distance (L) entre la surface côté couche adhésive de la base et une surface de la couche adhésive, ladite surface se trouvant sur le côté opposé de la surface côté base, variant entre 20 μm et 75 μm (inclus). Un film de base pour un découpage en dés selon la présente invention comprend une couche de base et une couche superficielle qui est agencée sur une surface principale de la couche de base, et la couche superficielle contient une résine de polystyrène et un copolymère d'hydrocarbure aromatique vinylique - d'hydrocarbure diène conjugué ou un produit hydrogéné de ce dernier, la teneur en résine de polystyrène dans la couche superficielle étant supérieure à 50 % en poids.
(JA) 本発明に係るダイシングフィルムは、基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有し、前記基材の200℃における溶融張力が80mN以上である。 また、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離(L)が20μm以上、75μm以下である。 更に、本発明に係るダイシング用基体フィルムは、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含み、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素-共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、50重量%を超える。