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1. WO2014133073 - ダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルム、及び半導体チップの製造方法

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公開番号 WO/2014/133073
公開日 04.09.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/054853
国際出願日 27.02.2014
IPC
H01L 21/301 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
B32B 2307/21
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2307Properties of the layers or laminate
20having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
21Anti-static
B32B 2307/558
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2307Properties of the layers or laminate
50having particular mechanical properties
558Impact strength, toughness
B32B 2457/14
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2457Electrical equipment
14Semiconductor wafers
B32B 27/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
27Layered products comprising ; a layer of; synthetic resin
06as the main or only constituent of a layer, ; which is; next to another layer of ; the same or of; a ; different material
08of synthetic resin
B32B 27/302
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
27Layered products comprising ; a layer of; synthetic resin
30comprising vinyl ; (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
302comprising aromatic vinyl (co)polymers, e.g. styrenic (co)polymers
B32B 7/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
7Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
04Interconnection of layers
12using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
出願人
  • 住友ベークライト株式会社 SUMITOMO BAKELITE CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 長尾　佳典 NAGAO Yoshinori
  • 織田　直哉 ODA Naoya
代理人
  • 棚井　澄雄 TANAI Sumio
優先権情報
2013-03830128.02.2013JP
2013-08465615.04.2013JP
2013-22705431.10.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DICING FILM, DICING FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFERS, BASE FILM FOR DICING, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FILM DE DÉCOUPAGE EN DÉS, FILM DE DÉCOUPAGE EN DÉS POUR DES PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEURS, FILM DE BASE POUR PERMETTRE UN DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE PUCE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) ダイシングフィルム、半導体ウエハ用ダイシングフィルム、ダイシング用基体フィルム、及び半導体チップの製造方法
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要約
(EN) A dicing film according to the present invention comprises a base and an adhesive layer that is formed on the base, and the base has a melt tension at 200°C of 80 mN or more. A dicing film for semiconductor wafers according to the present invention comprises a base and an adhesive layer that is formed on one surface of the base, and the distance (L) between the adhesive layer-side surface of the base and a surface of the adhesive layer, said surface being on the reverse side of the base-side surface, is from 20 μm to 75 μm (inclusive). A base film for dicing according to the present invention comprises a base layer and a surface layer that is arranged on one main surface of the base layer, and the surface layer contains a polystyrene resin and a vinyl aromatic hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer or a hydrogenated product thereof, with the polystyrene resin content in the surface layer being more than 50% by weight.
(FR) La présente invention se rapporte à un film de découpage en dés qui comprend une base et une couche adhésive qui est formée sur la base, et la base présente une tension à l'état fondu à une température de 200°C égale ou supérieure à 80 nM. Un film de découpage en dés pour des plaquettes de semi-conducteurs selon la présente invention comprend une base et une couche adhésive qui est formée sur une surface de la base, la distance (L) entre la surface côté couche adhésive de la base et une surface de la couche adhésive, ladite surface se trouvant sur le côté opposé de la surface côté base, variant entre 20 μm et 75 μm (inclus). Un film de base pour un découpage en dés selon la présente invention comprend une couche de base et une couche superficielle qui est agencée sur une surface principale de la couche de base, et la couche superficielle contient une résine de polystyrène et un copolymère d'hydrocarbure aromatique vinylique - d'hydrocarbure diène conjugué ou un produit hydrogéné de ce dernier, la teneur en résine de polystyrène dans la couche superficielle étant supérieure à 50 % en poids.
(JA) 　本発明に係るダイシングフィルムは、基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有し、前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上である。　また、本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルムは、基材と、前記基材の一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記基材における前記粘着剤層側の面と、前記粘着剤層における前記基材とは反対側の面との距離（Ｌ）が２０μｍ以上、７５μｍ以下である。　更に、本発明に係るダイシング用基体フィルムは、基材層と、前記基材層の一主面上に配置された表面層と、を含み、前記表面層は、ポリスチレン系樹脂と、ビニル芳香族炭化水素－共役ジエン炭化水素共重合体又はその水素添加物と、を含有し、前記表面層における前記ポリスチレン系樹脂の含有量は、５０重量％を超える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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