(EN) A silicon carbide film (90) includes a drift layer (81) that forms a first main surface (P1) and is of a first conductivity type. The drift layer (81) has a first region (81A) that forms the first main surface (P1), and a second region (81B) that is provided on the first region (81A) with an interface (IF) therebetween. The interface (IF) has a center surface (FC), and an outer peripheral surface (FT) that surrounds the center surface (FC). The silicon carbide film (90) includes an embedded region that is partially provided in the interface (IF) and is of a second conductivity type. The embedded region has an electric field attenuated region (71) that is provided to the center surface (FC), and a guard ring region (73) that is provided to the outer peripheral surface (FT). A transistor element and a Schottky barrier diode element are arranged on the center surface (FC) and the outer peripheral surface.
(FR) L'invention concerne un film en carbure de silicium (90) contenant une couche de dérivation (81) formant une première surface principale (P1) et présentant un premier type de conductivité. La couche de dérivation (81) présente une première zone (81A) formant la première surface principale (P1) et une seconde zone (81B) présente sur la première zone (81A), une interface (IF) étant située entre elles. L'interface (IF) présente une surface centrale (FC) et une surface périphérique (FT) entourant la surface centrale (FC). Le film en carbure de silicium (90) contient une zone encastrée en partie disposée dans l'interface (IF) et présentant un second type de conductivité. La zone encastrée présente une zone de détente de champ électrique (71) ménagée dans la surface centrale (FC) et une zone de grille de protection (73) ménagée dans la surface périphérique (FT). Un élément transistor et un élément diode à barrière de Schottky sont disposés sur la surface centrale (FC) et la surface périphérique.
(JA) 炭化珪素膜(90)は、第1の主面(P1)をなし、第1の導電型を有するドリフト層(81)を含む。ドリフト層(81)は、第1の主面(P1)をなす第1の領域(81A)と、第1の領域(81A)上に界面(IF)を介して設けられた第2の領域(81B)とを有する。界面(IF)は、中央面(FC)と、中央面(FC)を取り囲む外縁面(FT)とを有する。炭化珪素膜(90)は、界面(IF)に部分的に設けられ第2の導電型を有する埋込領域を含む。埋込領域は、中央面(FC)に設けられた電界緩和領域(71)と、外縁面(FT)に設けられたガードリング領域(73)とを有する。トランジスタ素子およびショットキーバリアダイオード素子が中央面(FC)および外縁面上に配置されている。