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1. WO2014129584 - 酸化防止処理方法、これを用いた電子デバイスの製造方法、及びこれらに用いられる金属防食剤

公開番号 WO/2014/129584
公開日 28.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/054170
国際出願日 21.02.2014
予備審査請求日 17.12.2014
IPC
C09K 15/30 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
15抗酸化剤組成物;化学変化を抑制する組成物
04有機化合物を含有するもの
30少くとも一個の窒素原子を環の構造中にもつ複素環
C09K 3/00 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
C09K 15/18 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
15抗酸化剤組成物;化学変化を抑制する組成物
04有機化合物を含有するもの
16窒素を含有するもの
18アミンまたはイミン部分を含有するもの
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
CPC
C07D 249/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
249Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
C23F 11/149
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
11Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
08in other liquids
10using organic inhibitors
14Nitrogen-containing compounds
149Heterocyclic compounds containing nitrogen as hetero atom
H01L 21/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
H01L 21/4864
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4864Cleaning, e.g. removing of solder
H01L 2224/0345
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
03Manufacturing methods
034by blanket deposition of the material of the bonding area
03444in gaseous form
0345Physical vapour deposition [PVD], e.g. evaporation, or sputtering
H01L 2224/03452
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
03Manufacturing methods
034by blanket deposition of the material of the bonding area
03444in gaseous form
03452Chemical vapour deposition [CVD], e.g. laser CVD
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 朴 起永 PARK, Kee Young
  • 水谷 篤史 MIZUTANI, Atsushi
  • 清水 哲也 SHIMIZU, Tetsuya
代理人
  • 飯田 敏三 IIDA, Toshizo
優先権情報
2013-03207121.02.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ANTIOXIDATION PROCESSING METHOD, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD USING SAME, AND METAL ANTICORROSIVE USED BY THESE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT ANTIOXYDANT, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE AU MOYEN DUDIT PROCÉDÉ, ET ANTI-CORROSIF MÉTALLIQUE UTILISÉ PAR CES DERNIERS
(JA) 酸化防止処理方法、これを用いた電子デバイスの製造方法、及びこれらに用いられる金属防食剤
要約
(EN)
Provided is an antioxidation method for the surface of copper or a copper alloy, in which a metal anticorrosive containing a five membered nitrogen-containing heteroaromatic compound having an amino group is brought into contact with the surface of copper or a copper alloy contained in an electronic device.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement antioxydant pour la surface du cuivre ou d'un alliage de cuivre, dans lequel un anti-corrosif métallique contenant un composé hétéro-aromatique azoté à cinq membres ayant un groupe aminé est amené au contact de la surface du cuivre ou d'un alliage de cuivre contenu dans un dispositif électronique.
(JA)
電子デバイスに含まれる銅もしくは銅合金の表面に、アミノ基を有する5員の含窒素複素芳香族化合物を含有する金属防食剤を接触させる銅もしくは銅合金表面の酸化防止方法。
他の公開
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