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1. WO2014129582 - 水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物

公開番号 WO/2014/129582
公開日 28.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/054168
国際出願日 21.02.2014
IPC
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
G03F 7/094
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
H01L 21/0277
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0277Electrolithographic processes
H01L 21/3081
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
3081characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
出願人
  • 日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 遠藤 貴文 ENDO, Takafumi
  • 橋本 圭祐 HASHIMOTO, Keisuke
  • 西巻 裕和 NISHIMAKI, Hirokazu
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru
代理人
  • 萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo
優先権情報
2013-03421725.02.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING ARYL SULFONATE SALT HAVING HYDROXYL GROUP
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UN SEL DE SULFONATE D'ARYLE AYANT UN GROUPE HYDROXYLE
(JA) 水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物
要約
(EN)
[Problem] To provide a resist underlayer film-forming composition which has high storage stability by being suppressed in aging and reduces the amount of a sublimate produced from a resist underlayer film during a firing process. [Solution] A resist underlayer film-forming composition which contains an aryl sulfonate salt compound having a hydroxyl group, said aryl sulfonate salt compound being represented by formula (1). (In the formula, Ar represents a benzene ring or an aromatic hydrocarbon ring to which a benzene ring is fused; m1 represents an integer of from 0 to (2 + 2n); each of m2 and m3 represents an integer of from 1 to (3 + 2n); (m1 + m2 + m3) represents an integer of from 2 to (4 + 2n); and X+ represents NH4+, a primary ammonium ion, a secondary ammonium ion, a tertiary ammonium ion, a quaternary ammonium ion, a sulfonium ion or an iodonium cation. In this connection, n represents the number of benzene rings or the number of benzene rings fused to the aromatic hydrocarbon ring, which is an integer of 1-6.)
(FR)
L'invention a pour but de proposer une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui présente une stabilité de stockage élevée par suppression du vieillissement et qui réduit la quantité d'un produit sublimé produit à partir d'un film de sous-couche de réserve pendant un procédé de cuisson. A cet effet, l'invention concerne une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui contient un composé de sel de sulfonate d'aryle ayant un groupe hydroxyle, ledit composé de sel de sulfonate d'aryle étant représenté par la formule (1). (Dans la formule, Ar représente un noyau benzène ou un noyau hydrocarboné aromatique auquel un noyau benzène est fusionné; m1 représente un entier de 0 à (2 + 2n); chacun parmi m2 et m3 représente un entier de 1 à (3 + 2n); (m1 + m2 + m3) représente un entier de 2 à (4 + 2n); et X+ représente NH4+, un ion ammonium primaire, un ion ammonium secondaire, un ion ammonium tertiaire, un ion ammonium quaternaire, un ion sulfonium ou un cation iodonium. A cet égard, n représente le nombre de noyaux benzène ou le nombre de noyaux benzène fusionnés au noyau hydrocarboné aromatique, qui est un entier de 1-6).
(JA)
【課題】 焼成工程においてレジスト下層膜中から発生する昇華物量を低減し、且つエイジングを抑制することで高い保存安定性を有するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 【請求項1】 下記式(1): (式中、Arはベンゼン環又はベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環を示し、mは0乃至(2+2n)の整数であり、m及びmはそれぞれ1乃至(3+2n)の整数であり、(m1+m2+m3)は2乃至(4+2n)の整数を示す。ただし、nはベンゼン環の数又は芳香族炭化水素環において縮合したベンゼン環の数を表し、1乃至6の整数である。XはNH、第1級アンモニウムイオン、第2級アンモニウムイオン、第3級アンモニウムイオン、第4級アンモニウムイオン、スルホニウムイオン、又はヨードニウムカチオンを示す。)で表される水酸基を有するアリールスルホン酸塩化合物を含むレジスト下層膜形成組成物。
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