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1. (WO2014129556) レジストパターン形成方法、レジスト潜像形成装置、レジストパターン形成装置及びレジスト材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129556    国際出願番号:    PCT/JP2014/054068
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 20.02.2014
予備審査請求日:    11.11.2014    
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01)
出願人: OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP)
発明者: TAGAWA Seiichi; (JP).
OSHIMA Akihiro; (JP)
代理人: MAEI Hiroyuki; 6th Floor Kotera Plaza, 2-5-23 Kitahama, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2013-031125 20.02.2013 JP
2013-211479 08.10.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, DEVICE FOR FORMING RESIST LATENT IMAGE, DEVICE FOR FORMING RESIST PATTERN, AND RESIST MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSIST, DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE LATENTE DE RÉSIST, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSIST, ET MATÉRIAU DE RÉSIST
(JA) レジストパターン形成方法、レジスト潜像形成装置、レジストパターン形成装置及びレジスト材料
要約: front page image
(EN)This method of forming a resist pattern includes: a resist layer formation step (S101) for forming a resist layer (12) on a substrate (11); an activation step (S103) for activating the resist layer through irradiation by a beam of activating energy; a decay inhibiting step (S105) for inhibiting decay of activation of the resist layer; a pattern latent image formation step (S107) for forming a pattern latent image in the activated resist layer through irradiation by a latent image-forming energy beam; and a developing step (S110) for developing the resist layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motif de résist qui comprend : une étape de formation de couche de résist (S101) pour former une couche de résist (12) sur un substrat (11); une étape d'activation (S103) pour activer la couche de résist par irradiation par un faisceau d'énergie d'activation; une étape d'empêchement d'affaiblissement (S105) pour empêcher un affaiblissement d'activation de la couche de résist; une étape de formation d'image latente de résist (S107) pour former une image latente de motif dans la couche de résist activée par irradiation par un faisceau d'énergie de formation d'image latente; et une étape de développement (S110) pour développer la couche de résist.
(JA) 本発明のレジストパターン形成方法は、基板11にレジスト層12を形成するレジスト層形成ステップS101と、活性化エネルギービームの照射によって前記レジスト層を活性化する活性化ステップS103と、前記レジスト層の活性の減衰を抑制する減衰抑制ステップS105と、潜像形成エネルギービームの照射によって、前記活性化されたレジスト層にパターン潜像を形成するパターン潜像形成ステップS107と、前記レジスト層を現像する現像ステップS110とを含有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)