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1. (WO2014129433) 複合基板、半導体デバイス及び半導体デバイスの製法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129433    国際出願番号:    PCT/JP2014/053689
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 18.02.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
出願人: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP)
発明者: IDE, Akiyoshi; (JP).
TAKAGAKI, Tatsuro; (JP).
MIYAZAWA, Sugio; (JP).
HORI, Yuji; (JP).
TAI, Tomoyoshi; (JP).
HATTORI, Ryosuke; (JP)
代理人: ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2013-030161 19.02.2013 JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 複合基板、半導体デバイス及び半導体デバイスの製法
要約: front page image
(EN)A composite substrate (10) is obtained by bonding a semiconductor substrate (12) and an insulating supporting substrate (14) with each other. The supporting substrate (14) is obtained by bonding a first substrate (14a) and a second substrate (14b), which are formed of the same material, at a strength separable by a blade. A surface of the first substrate (14a), said surface being on the reverse side of the surface bonded to the second substrate (14b), is bonded to the semiconductor substrate (12).
(FR)L'invention concerne un substrat composite (10) qui est obtenu par soudage d'un substrat de semi-conducteur (12) et d'un substrat de support isolant (14) l'un avec l'autre. Le substrat de support (14) est obtenu par soudage d'un premier substrat (14a) et d'un second substrat (14b), qui sont formés du même matériau, avec une force séparable par une lame. Une surface du premier substrat (14a), ladite surface étant sur le côté inverse de la surface soudée au second substrat (14b), est soudée sur le substrat de semi-conducteur (12).
(JA) 複合基板10は、半導体基板12と絶縁性の支持基板14とを貼り合わせたものである。支持基板14は、同じ材料で作られた第1基板14aと第2基板14bとがブレードで剥離可能な強度で接合され、第1基板14aのうち第2基板14bとの接合面とは反対側の面で半導体基板12と貼り合わされている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)