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1. (WO2014129414) サファイア単結晶コアおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129414    国際出願番号:    PCT/JP2014/053568
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 07.02.2014
IPC:
C30B 29/20 (2006.01), C30B 15/22 (2006.01)
出願人: TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7450053 (JP)
発明者: MOCHIZUKI, Naoto; (JP).
IKEDA, Yuichi; (JP).
OGAWA, Katsuya; (JP)
代理人: OHSHIMA, Masataka; OHSHIMA PATENT OFFICE, BN Gyoen Building, 17-11, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2013-034581 25.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL CORE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) COEUR DE MONOCRISTAL DE SAPHIR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(JA) サファイア単結晶コアおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a sapphire single crystal core characterized by having an r-axis axial direction, having a length of at least 200 mm, having a diameter of at least 150 mm, and containing no bubbles. Also provided is a method for producing the sapphire single crystal core, characterized by: including a step in which a sapphire single crystal is grown in the r-axis direction by the Czochraski method and a sapphire ingot is obtained and a step in which a core is cut out of the sapphire ingot; and, during the formation of a shoulder section of the ingot by the Czochraski method, the speed of the formation of the shoulder section being controlled such that the growth direction length is no more than 10 mm for an area in the shoulder section that is an area having an angle of 10-30° relative to the horizontal surface.
(FR)L'invention concerne un coeur de monocristal de saphir, caractérisé en ce qu'il comporte une direction axiale d'axe r, présente une longueur d'au moins 200 mm, un diamètre d'au moins 150 mm et qu'il est exempt de bulles. L'invention concerne aussi un procédé de production du coeur de monocristal de saphir, ce procédé étant caractérisé par les étapes suivantes : faire croître, au moyen du procédé de Czochralski, un monocristal de saphir dans la direction d'axe r afin d'obtenir un lingot de saphir, et couper un coeur dans le lingot de saphir ; et, pendant la formation d'une partie d'épaulement du lingot par le procédé de Czochralski, régler la vitesse de formation de la partie d'épaulement afin que la longueur, dans la direction de croissance, soit de 10 mm au maximum dans une zone de la partie d'épaulement qui constitue une zone comportant un angle de 10-30° par rapport à la surface horizontale.
(JA) 軸方向がr軸であり、長さ200mm以上、直径150mm以上であり、そして気泡を含有しないことを特徴とする、サファイア単結晶コア、およびチョクラルスキー法によってサファイア単結晶をr軸方向に成長させてサファイアインゴッドを得る工程と、前記サファイアインゴッドからコアを切り出す工程と、を含み、ただし、前記チョクラルスキー法によってインゴッドの肩部を形成するときに、前記肩部のうちの、水平面に対する角度が10~30°である領域の育成方向長さが10mm以下となるように前記肩部の形成速度を制御することを特徴とする、前記サファイア単結晶コアを製造するための方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)