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1. WO2014129377 - 電界集中位置観察装置および電界集中位置観察方法

公開番号 WO/2014/129377
公開日 28.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/053340
国際出願日 13.02.2014
IPC
G01R 31/26 2014.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
26個々の半導体装置の試験
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01N 2021/1765
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
1765Method using an image detector and processing of image signal
G01N 21/17
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
G01R 29/14
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
29Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
12Measuring electrostatic fields ; or voltage-potential
14Measuring field distribution
G01R 31/2607
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
2607Circuits therefor
G01R 31/2656
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
265Contactless testing
2656using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
G01R 31/311
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
302Contactless testing
308using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
311of integrated circuits
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 中村 共則 NAKAMURA Tomonori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
優先権情報
2013-03002219.02.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTRIC FIELD CONCENTRATION LOCATION OBSERVATION DEVICE AND ELECTRIC FIELD CONCENTRATION LOCATION OBSERVATION METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'OBSERVATION D'EMPLACEMENT DE CONCENTRATION DE CHAMP ÉLECTRIQUE
(JA) 電界集中位置観察装置および電界集中位置観察方法
要約
(EN)
An observation device (10A) comprises a laser light source (18), a scanning optical system (16) to expose a semiconductor device (32) to laser light output from the laser light source (18), a bias power supply (22) to apply a reverse bias voltage that is a prescribed voltage between electrodes of the semiconductor device (32), a sensor (24) to detect the electric properties generated in the semiconductor device (32) caused by the laser light, and a control system (28) to generate an image of electric properties of the semiconductor device (32) on the basis of a detection signal from the sensor (24). The bias power supply (22) gradually increases the magnitude of the prescribed voltage until the voltage at which the avalanche amplification effect occurs in the semiconductor device (32) is reached. In addition, when the prescribed voltage is increased, the scanning optical system (16) emits laser light, the sensor (24) detects the electric properties, and the control system (28) generates an image of the electric properties. Thus, an electric field concentration location observation device and an electric field concentration location observation method by which the electric field concentration point can be accurately identified are achieved.
(FR)
Selon la présente invention, un dispositif d'observation (10A) comprend une source de lumière laser (18), un système optique de balayage (16) pour exposer un dispositif à semi-conducteurs (32) à une lumière laser délivrée par la source de lumière laser (18), une alimentation électrique de polarisation (22) pour appliquer une tension de polarisation inverse qui est une tension prescrite entre des électrodes du dispositif à semi-conducteurs (32), un capteur (24) pour détecter les propriétés électriques générées dans le dispositif à semi-conducteurs (32) provoquées par la lumière laser, et un système de commande (28) pour générer une image de propriétés électriques du dispositif à semi-conducteurs (32) sur la base d'un signal de détection provenant du capteur (24). L'alimentation électrique de polarisation (22) augmente progressivement l'amplitude de la tension prescrite jusqu'à ce que la tension à laquelle l'effet d'amplification d'avalanche se produit dans le dispositif à semi-conducteurs (32) soit atteinte. De plus, lorsque la tension prescrite est augmentée, le système optique de balayage (16) émet une lumière laser, le capteur (24) détecte les propriétés électriques, et le système de commande (28) génère une image des propriétés électriques. Ainsi, un dispositif d'observation d'emplacement de concentration de champ électrique et un procédé d'observation d'emplacement de concentration de champ électrique par lesquels le point de concentration de champ électrique peuvent être identifié avec précision sont obtenus.
(JA)
 観察装置10Aは、レーザ光源18と、レーザ光源18から出力されたレーザ光を半導体装置32へ照射するスキャン光学系16と、半導体装置32の電極間に所定電圧である逆バイアス電圧を印加するバイアス電源22と、レーザ光に起因して半導体装置32に生じる電気特性を検出するセンサ24と、センサ24からの検出信号に基づいて半導体装置32の電気特性画像を生成する制御システム28とを備える。バイアス電源22は、所定電圧の大きさを、半導体装置32にアバランシェ増幅作用が生じる電圧に達するまで段階的に増加させる。そして、所定電圧が増加すると、スキャン光学系16がレーザ光を照射し、センサ24が電気特性を検出し、制御システム28が電気特性画像を生成する。これにより、電界集中箇所を正確に知ることができる電界集中位置観察装置および観察方法が実現される。
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