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1. (WO2014129351) 半導体装置とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129351    国際出願番号:    PCT/JP2014/053157
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 12.02.2014
IPC:
H01L 23/00 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
出願人: PS4 LUXCO S.A.R.L. [LU/LU]; 208, Val des Bons Malades, L-2121 Luxembourg (LU) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
TOMOHIRO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: TOMOHIRO, Atsushi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 3F, Tamachi Square, 26-24, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP)
優先権情報:
2013-032151 21.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置とその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (1) includes: a wiring substrate (3); a semiconductor chip (4) layered on one face of the wiring substrate (3) and having a first face (4a) facing the wiring substrate (3) and a second face (4b) positioned on a reverse side from the first face (4a), a circuit being formed on at least the second face (4b); a non-circuit-incorporating chip (11) in which a circuit is not formed, the non-circuit-incorporating chip (11) being layered on the second face (4b) of the semiconductor chip (4); and a sealing resin (2) disposed between at least the wiring substrate (3) and the non-circuit-incorporating chip (11). This configuration suppresses damage to the circuit formed in the semiconductor chip by energy applied during such processes as laser irradiation for forming a marking on the semiconductor device in which the semiconductor chip is incorporated.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (1) qui comprend : un substrat de câblage (3); une puce de semi-conducteur (4) stratifiée sur une face du substrat de câblage (3) et ayant une première face (4a) qui fait face au substrat de câblage (3) et une seconde face (4b) positionnée sur un côté inverse par rapport à la première face (4a), un circuit étant formé sur au moins la seconde face (4b); une puce n'incorporant pas de circuit (11) dans laquelle un circuit n'est pas formé, la puce n'incorporant pas de circuit (11) étant stratifiée sur la seconde face (4b) de la puce de semi-conducteur (4); et une résine de d'étanchéité (2) disposée entre au moins le substrat de câblage (3) et la puce n'incorporant pas de circuit (11). Cette configuration supprime un endommagement du circuit formé dans la puce de semi-conducteur par une énergie appliquée durant de tels processus telle qu'un rayonnement par laser pour former une marque sur le dispositif semi-conducteur dans lequel la puce de semi-conducteur est incorporée.
(JA) 半導体装置1が、配線基板3と、配線基板3の一方の面に積層され、配線基板3に向いた第1の面4aと第1の面4aの反対側に位置する第2の面4bとを有し、少なくとも第2の面4bに回路が形成されている、半導体チップ4と、半導体チップ4の第2の面4bに積層されている、回路が形成されていない回路非内蔵チップ11と、少なくとも配線基板3と回路非内蔵チップ11との間に配置されている封止樹脂2と、を含む。それにより、半導体チップを内蔵した半導体装置にマーキングを形成するためのレーザ照射を行う際などに与えられたエネルギーが、半導体チップに形成された回路を損傷することを抑える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)