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1. (WO2014129304) 半導体ウェーハの加工方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129304    国際出願番号:    PCT/JP2014/052540
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 04.02.2014
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 27/06 (2006.01), B24B 37/08 (2012.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
発明者: TANAKA, Toshiyuki; (JP).
HASHIMOTO, Yasuyuki; (JP).
HASHII, Tomohiro; (JP)
代理人: SUDA, Masayoshi; OAK Ikebukuro Bldg., 21-11, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2013-029719 19.02.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの加工方法
要約: front page image
(EN)A method for processing a wafer in which: a wafer is obtained by slicing a semiconductor monocrystal ingot using a wire saw apparatus; one surface of the wafer is ground flat using, as a reference surface, a flat surface obtained by applying a curable material to the entirety of the other surface of the wafer; and the other surface of the wafer is ground flat using, as a reference surface, the one surface of the wafer that has been ground flat; wherein both surfaces of the wafer are flattened at the same time immediately after the wafer is sliced.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'une tranche dans lequel : une tranche est obtenue par tranchage d'un lingot monocristallin de semi-conducteur à l'aide d'un appareil des sciage à fil hélicoïdal ; une surface de la tranche est meulée à plat à l'aide, en tant que surface de référence, d'une surface plate obtenue par l'application d'un matériau durcissable sur la totalité de l'autre surface de la tranche ; et l'autre surface de la tranche est meulée à plat à l'aide, en tant que surface de référence, de ladite surface de la tranche qui a été meulée à plat ; les deux surfaces de la tranche étant aplaties en même temps immédiatement après que la tranche soit découpée.
(JA) 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置を用いてスライスして得たウェーハの一方の面全面に硬化性材料を塗布した平坦な表面を基準面としてウェーハの他方の面を平面研削し、平面研削したウェーハの他方の面を基準面としてウェーハの一方の面を平面研削するウェーハの加工方法において、ウェーハをスライスした直後にウェーハの両面を同時に平坦化加工する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)