WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014129246) 基板のエッチング装置及び基板の分析方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129246    国際出願番号:    PCT/JP2014/051032
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 21.01.2014
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), G01N 1/28 (2006.01)
出願人: IAS INC. [JP/JP]; 4-39-5-916, Fujimidai, Kunitachi-shi, Tokyo 1860003 (JP)
発明者: KAWABATA, Katsuhiko; (JP).
HAYASHI, Takuma; (JP).
IKEUCHI, Mitsumasa; (JP).
LEE Sungjae; (JP).
KUNIKA, Jin; (JP)
代理人: TANAKA AND OKAZAKI; Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP)
優先権情報:
2013-032433 21.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE ETCHING APPARATUS AND SUBSTRATE ANALYSIS METHOD
(FR) APPAREIL DE GRAVURE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'ANALYSE DE SUBSTRAT
(JA) 基板のエッチング装置及び基板の分析方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides an etching apparatus suitable for etching polysilicon on a substrate and bulk silicon that constitutes the substrate. The present invention relates to an etching apparatus, which is provided with a gas flowage adjusting means that makes an etching gas flow from the periphery of a substrate to substantially the center of the substrate, and the present invention also relates to a technology of etching polysilicon and bulk silicon with uniform thickness over the whole substrate surface. Furthermore, the gas flowage adjusting means is disposed such that the gas flowage adjusting means can vertically move, and etching speed can be controlled by means of adjustment performed by means of the gas flowage adjusting means.
(FR)La présente invention concerne un appareil de gravure approprié pour graver du polysilicium sur un substrat et du silicium massif qui constitue le substrat. La présente invention concerne un appareil de gravure, qui comprend un moyen de réglage d'écoulement de gaz qui amène un gaz de gravure à s'écouler à partir de la périphérie d'un substrat vers sensiblement le centre du substrat, et la présente invention concerne également une technologie de gravure de polysilicium et de silicium massif avec une épaisseur uniforme sur la totalité de la surface de substrat. En outre, le moyen de réglage d'écoulement de gaz est disposé de telle sorte que le moyen de réglage d'écoulement de gaz peut se déplacer verticalement, et une vitesse de gravure peut être commandée à l'aide d'un réglage réalisé à l'aide du moyen de réglage d'écoulement de gaz.
(JA) 本発明は、基板上のポリシリコンや、基板を構成するバルクシリコンのエッチングに好適なエッチング装置を提供する。 本発明は、エッチングガスを基板の周縁より略中心へと流動させるガス流動調整手段を備えるエッチング装置に関し、ポリシリコンやバルクシリコンを、基板全面について均一な厚みでエッチング可能とする技術に関する。また、ガス流動調整手段は上下動可能に設置されており、その調整によりエッチング速度を制御できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)