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1. (WO2014129172) 不揮発性半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129172    国際出願番号:    PCT/JP2014/000806
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 17.02.2014
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: NAKAYAMA, Masayoshi; .
KOUNO, Kazuyuki; .
MOCHIDA, Reiji; .
TAKAHASHI, Keita;
代理人: MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2013-030228 19.02.2013 JP
発明の名称: (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATIL
(JA) 不揮発性半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)A memory array (10) has disposed therein a plurality of memory cells (11) in matrix, each of said memory cells including a cell transistor (TC) and a variable resistance element (RR) connected to one end of the cell transistor (TC), and furthermore, the memory array is provided with a cell transistor performance measuring cell (12) having an MOS transistor (MTC). Readout characteristics and reliability characteristics of a nonvolatile semiconductor storage device are improved by stabilizing, using the cell transistor performance measuring cell (12), resistance values of the variable resistance element (RR) in a low resistance state and a high resistance state irrespective of fluctuation of the cell transistor (TC).
(FR)Selon la présente invention, un réseau de mémoire (10) possède, disposée en son sein, une pluralité de cellules de mémoire (11) en matrice, chacune desdites cellules de mémoire comprenant un transistor de cellule (TC) et un élément de résistance variable (RR) connecté à une extrémité du transistor de cellule (TC), et en outre, le réseau de mémoire comporte une cellule de mesure de performances de transistor de cellule (12) ayant un transistor MOS (MTC). Des caractéristiques de lecture et des caractéristiques de fiabilité d'un dispositif de stockage à semi-conducteurs non volatil sont améliorées par stabilisation, en utilisant la cellule de mesure de performances de transistor de cellule (12), de valeurs de résistance de l'élément de résistance variable (RR) dans un état de faible résistance et un état de résistance élevée indépendamment d'une fluctuation du transistor de cellule (TC).
(JA) メモリアレイ(10)は、セルトランジスタ(TC)と当該セルトランジスタ(TC)の一端に接続された抵抗変化素子(RR)とをそれぞれ含む複数のメモリセル(11)が行列状に配置されているのに加えて、MOSトランジスタ(MTC)を有するセルトランジスタ能力測定セル(12)を備える。セルトランジスタ能力測定セル(12)を用いて、抵抗変化素子(RR)の低抵抗状態及び高抵抗状態の抵抗値を、セルトランジスタ(TC)のばらつきによらず安定化することで、不揮発性半導体記憶装置の読み出し特性及び信頼性特性が向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)