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1. (WO2014129123) シリコン単結晶棒の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129123    国際出願番号:    PCT/JP2014/000505
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 31.01.2014
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: SONOKAWA, Susumu; (JP).
SATO, Wataru; (JP).
MITAMURA, Nobuaki; (JP).
OHTA, Tomohiko; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2013-032988 22.02.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON MONOCRYSTAL ROD
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN BARREAU DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶棒の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention is a method for manufacturing a silicon monocrystal rod in which an N-region silicon monocrystal rod is pulled up using the CZ method, wherein a heat treatment for exposing an oxygen precipitate is performed on a sample wafer from an N-region silicon monocrystal rod, and EOSF inspection in which selective etching is performed to measure EOSF concentration, and shallow-pit inspection in which the pattern of shallow pits is inspected, are performed, whereby, in accordance with the results obtained by assessing the defective regions of the sample wafer, the pulling conditions are adjusted so that when the next N-region silicon monocrystal rod is pulled up and the defective region is assessed to be an N-region, assessment is performed as to whether the defect is in the Nv region or the Ni region. There is provided thereby a manufacturing method for allowing adjustment of the pulling conditions for an N-region silicon monocrystal using the CZ method based on the results of inspection of a sample wafer even if no defect is found.
(FR)La présente invention porte sur un procédé pour la fabrication d'un barreau de monocristal de silicium comprenant le tirage d'un barreau de monocristal de silicium sous forme de région N à l'aide de la méthode de CZ, un traitement thermique pour l'exposition d'un précipité avec l'oxygène étant effectué sur une tranche échantillon provenant d'un barreau de monocristal de silicium sous forme de région N et un examen des défauts EOSF, dans lequel une gravure sélective est effectuée pour mesurer la concentration en défauts EOSF, et un examen des piqûres peu profondes, dans lequel la configuration de piqûres peu profondes est examinée, étant effectués, ce par quoi, en fonction des résultats obtenus par l'évaluation des régions de défauts de la tranche échantillon, les conditions de tirage sont réglées afin que, lorsque le barreau de monocristal de silicium sous forme de région N suivant est tiré et la région de défauts est évaluée comme étant une région N, l'évaluation soit effectuée pour savoir si le défaut est dans la région Nv ou la région Ni. Le procédé de fabrication selon l'invention permet de cette manière le réglage des conditions de tirage pour un monocristal de silicium sous forme de région N à l'aide de la technique de CZ sur la base des résultats d'examen d'une tranche échantillon même lorsqu'il n'y a pas de défaut trouvé.
(JA) 本発明は、CZ法によるN領域シリコン単結晶棒を引き上げるシリコン単結晶棒の製造方法であって、N領域シリコン単結晶棒からのサンプルウエーハに、酸素析出物を顕在化させる熱処理を施し、選択エッチングを施してEOSFの密度を測定するEOSF検査や、シャローピットの発生パターンを調査するシャローピット検査を行うことにより、サンプルウエーハの欠陥領域を判定した結果に応じ、引き上げ条件を調整して次のN領域シリコン単結晶棒を引き上げるとき、前記欠陥領域の判定においてN領域の場合に、Nv領域内またはNi領域内のどの部分であるかの判定も行うシリコン単結晶棒の製造方法を提供する。これにより、たとえ不良が出なくとも、サンプルウエーハの検査結果から、CZ法でのN領域シリコン単結晶の引き上げ条件の調整が可能な製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)