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1. (WO2014129118) 固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129118    国際出願番号:    PCT/JP2014/000422
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 28.01.2014
IPC:
H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/376 (2011.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: KOBAYASHI, Hiroyuki; .
MUROSHIMA, Takahiro; .
TOYA, Hiroshi;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2013-032636 21.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約: front page image
(EN)A solid-state image pickup device (1) of the present invention is provided with: an image pickup region (101) wherein pixels (100) that photoelectrically convert inputted light into pixel signals are disposed in matrix; vertical signal lines (108), which are respectively disposed for pixel rows, and which read out the pixel signals; and a current source (105) connected to the vertical signal lines (108). The current source (105) is provided with: three transistors (M2y, M3y, M4y (1≤y≤j)), which are disposed between the vertical signal lines (108) and a GND line, and which are connected in series; and a transistor (M5y) having the drain and the source thereof connected to two connecting points where the adjacent transistors (M2y, M3y, M4y) are connected to each other.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs (1) qui comporte : une région de capture d'image (101), des pixels (100) qui convertissent de manière photoélectrique une lumière injectée en signaux de pixel étant disposés en matrice; des lignes de signal verticales (108), qui sont respectivement disposées pour des rangées de pixels, et qui lisent les signaux de pixel; et une source de courant (105) connectée aux lignes de signal verticales (108). La source de courant (105) comporte : trois transistors (M2y, M3y, M4y (1 ≤ y ≤ j)), qui sont disposés entre les lignes de signal verticales (108) et une ligne GND, et qui sont connectés en série; et un transistor (M5y) ayant le drain et la source de celui-ci connectés à deux points de connexion où les transistors adjacents (M2y, M3y, M4y) sont connectés les uns aux autres.
(JA) 本発明の固体撮像装置(1)は、入射光を画素信号に光電変換する画素(100)が行列状に配列された撮像領域(101)と、画素列ごとに配置され、画素信号を読み出す垂直信号線(108)と、垂直信号線(108)に接続された電流源(105)とを備え、電流源(105)は、垂直信号線(108)とGND線との間に配置された、直列に接続された3つのトランジスタ(M2y、M3y及びM4y(1≦y≦j))と、隣接するトランジスタ(M2y、M3y及びM4y)を接続する2つの接続点に、ドレイン及びソースが接続されたトランジスタ(M5y)とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)