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1. (WO2014129039) 成膜方法及び成膜装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/129039    国際出願番号:    PCT/JP2013/081650
国際公開日: 28.08.2014 国際出願日: 25.11.2013
C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/10 (2006.01)
出願人: CHUGAI RO CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Hiranomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410046 (JP)
発明者: FURUYA, Eiji; .
KOYAMA, Ryousuke;
代理人: SAMEJIMA, Mutsumi; AOYAMA & PARTNERS, Umeda Hankyu Bldg. Office Tower, 8-1, Kakuda-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300017 (JP)
2013-031972 21.02.2013 JP
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約: front page image
(EN)Provided are a method and a device, in which sublimation-type SiO, which can be deposited uniformly, is used as a target material and which enable the formation of a transparent film that has no concern about discoloration. A base (13) is installed in a film formation chamber (12) in such a manner that a deposition surface (13a) of the base (13) faces the inside of the film formation chamber (12), a magnet (29) is placed on the back surface of the base (13), SiO is placed in a crucible (21) that is arranged in the film formation chamber (12), SiO that is a target material (22) is irradiated with plasma using a plasma generator (11) to evaporate SiO, a plasma confinement space (35) is formed on the side of the deposition surface (13a) of the base (13) by the action of the magnetic field of the magnet (29), and the evaporated SiO is reacted with plasma in the plasma confinement space (35) to activate SiO, whereby SiO2 is formed. In this manner, a SiO2 film can be formed on the deposition surface (13a) of the base (13) without requiring the use of oxygen as a reaction gas.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif, dans lequel du SiO de type à sublimation, qui peut être déposé de manière uniforme, est utilisé en tant que matériau cible et qui permet la formation d'un film transparent qui n'a pas de problème de décoloration. Une base (13) est installée dans une chambre de formation de film (12) d'une manière telle qu'une surface de dépôt (13a) de la base (13) fait face à l'intérieur de la chambre de formation de film (12), un aimant (29) est placé sur la surface arrière de la base (13), du SiO est placé dans un creuset (21) qui est agencé dans la chambre de formation de film (12), du SiO qui est un matériau cible (22) est irradié avec un plasma à l'aide d'un générateur de plasma (11) pour évaporer du SiO, un espace de confinement de plasma (35) est formé sur le côté de la surface de dépôt (13a) de la base (13) par l'action du champ magnétique de l'aimant (29), et le SiO évaporé réagit avec le plasma dans l'espace de confinement de plasma (35) pour activer le SiO, ce par quoi du SiO2 est formé. De cette manière, un film de SiO2 peut être formé sur la surface de dépôt (13a) de la base (13) sans nécessiter l'utilisation d'oxygène en tant que gaz réactif.
(JA) ターゲット材料として均一な蒸着が行える昇華型のSiOを使用し、かつ、色が付かない透明な成膜が行える方法及び装置を提供する。蒸着面13aが成膜室12の内側に臨むように基材13を搬入し、基材13の背面に磁石29を配置し、成膜室12に配置した坩堝21にSiOを収容し、プラズマ発生装置11によりプラズマをターゲット材料22であるSiOに照射してSiOを蒸発させ、基材13の蒸着面13a側に磁石29の磁界によるプラズマ閉じ込め空間35を形成し、プラズマ閉じ込め空間35で前記蒸発したSiOとプラズマを反応させてSiOを活性化させてSiOを形成することにより、反応ガスとして酸素を使用することなく、基材13の蒸着面13aにSiOの膜を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)