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1. WO2014128996 - チップ型正特性サーミスタ素子

公開番号 WO/2014/128996
公開日 28.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2013/072706
国際出願日 26.08.2013
IPC
H01C 7/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
C抵抗器
71以上の層または被覆状に形成された非可調整抵抗器;粉末絶縁材料を含むかまたは含まない粉末導電材料または粉末半導体材料で形成された非可調整抵抗器
02正温度係数をもつもの
H01C 1/142 2006.01
H電気
01基本的電気素子
C抵抗器
1細部
14抵抗器のために特に適用される端子またはタップポイント;抵抗器上の端子またはタップポイントの配列
142抵抗素子上に被覆された端子またはタップポイント
CPC
H01C 1/1406
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CRESISTORS
1Details
14Terminals or tapping points ; or electrodes; specially adapted for resistors
1406Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
H01C 1/148
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CRESISTORS
1Details
14Terminals or tapping points ; or electrodes; specially adapted for resistors
148the terminals embracing or surrounding the resistive element
H01C 7/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CRESISTORS
7Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
02having positive temperature coefficient
022mainly consisting of non-metallic substances
023containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
025Perovskites, e.g. titanates
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 西郷 有民 SAIGO Yumin
  • 井原木 洋 IBARAGI Hiroshi
代理人
  • 特許業務法人プロフィック特許事務所 PROFIC PC
優先権情報
2013-03177121.02.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CHIP-TYPE POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE THERMISTANCE À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF DE TYPE PUCE
(JA) チップ型正特性サーミスタ素子
要約
(EN)
A chip-type positive temperature coefficient thermistor element (1) has an element volume of no more than 0.12 [mm3]. In order to improve responsiveness, the following are provided: a ceramic base material (2) which has end surfaces (Sa, Sb) that face one another in parallel in the X axis direction and side surfaces (Sc) that connect the end surfaces (Sa, Sb), and the inner resistance value of which changes according to a temperature change; and a metal-containing first external electrode (4a) and second external electrode (4b) that are provided on the end surfaces (Sa, Sb). The distance (d [μm]) in the X axis direction between the end surfaces (Sa, Sb) is 300 ≤ d ≤ 700, and the maximum point thickness (tmax [μm]) of the thickness in the X axis direction of the first external electrode (4a) and the second external electrode (4b) is tmax ≥ 0.015 x d - 1.5.
(FR)
L'invention concerne un élément de thermistance à coefficient de température positif de type puce (1) dont le volume d'élément ne dépasse pas 0,12 [mm3]. Afin d'améliorer la capacité de réponse, un tel élément comporte : un matériau de base (2) en céramique qui a des surfaces d'extrémité (Sa, Sb) qui se font face en parallèle dans la direction de l'axe X et des surfaces latérales (Sc) qui relient les surfaces d'extrémité (Sa, Sb) et dont la valeur de résistance change en fonction d'un changement de température ; et une première électrode externe (4) et une seconde électrode externe (4b) contenant du métal qui sont disposées sur les surfaces d'extrémité (Sa, Sb). La distance (d [µm]) dans la direction de l'axe X entre les surfaces d'extrémité (Sa, Sb) est 300 ≤ d ≤ 700, et l'épaisseur de point maximale (tmax [µm]) de l'épaisseur dans la direction de l'axe X de la première électrode externe (4a) et de la seconde électrode externe (4b) est tmax ≥ 0,015 × d − 1,5.
(JA)
 チップ型正特性サーミスタ素子(1)は、0.12[mm3]以下の素子体積を有しており、応答性を向上させるために、X軸方向に平行に対向する端面(Sa,Sb)と、該端面(Sa,Sb)の間を接続する側面(Sc)を有するセラミック基体(2)であって、温度変化により内部抵抗値が変化するセラミック基体(2)と、端面(Sa,Sb)に設けられた第一外部電極(4a)および第二外部電極(4b)であって、金属を含有する第一外部電極(4a)および第二外部電極(4b)と、を備えている。端面(Sa,Sb)の間のX軸方向への距離d[μm]は、300≦d≦700であり、第一外部電極(4a)および第二外部電極(4b)において、X軸方向への厚みが最大の箇所の厚さtmax[μm]は、tmax≧0.015×d-1.5である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報