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1. (WO2014126174) 単結晶SiC基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶SiC基板の表面加工用研削プレート
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/126174    国際出願番号:    PCT/JP2014/053379
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 13.02.2014
IPC:
B24B 1/00 (2006.01), B24D 3/00 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
発明者: KIDO Takanori; (JP).
KATO Tomohisa; (JP)
代理人: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2013-026081 13.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SURFACE-PROCESSING METHOD FOR MONOCRYSTALLINE SiC SUBSTRATES, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND GRINDING PLATE FOR SURFACE-PROCESSING OF MONOCRYSTALLINE SiC SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE POUR DES SUBSTRATS DE SiC MONOCRISTALLINS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PLAQUE DE BROYAGE POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE SUBSTRATS DE SiC MONOCRISTALLINS
(JA) 単結晶SiC基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶SiC基板の表面加工用研削プレート
要約: front page image
(EN)In the surface-processing method for monocrystalline SiC substrates, a grinding plate, in which a soft pad and a hard pad are glued in said order on a base metal that has a flat surface and in which abrasive grains obtained from at least one kind of metal oxide that is softer than monocrystalline SiC and has a bandgap have been fixed on the surface of the hard pad, is mounted on a grinding device. An oxide product is generated by the grinding plate and the surface is ground as the oxide product is removed.
(FR)Dans le procédé de traitement de surface pour des substrats de SiC monocristallins, une plaque de broyage, dans laquelle un tampon mou et un tampon dur sont collés dans ledit ordre sur un métal de base qui a une surface plate et dans laquelle des grains abrasifs obtenus à partir d'au moins un type d'oxyde métallique qui est plus mou que le SiC monocristallin et a une bande interdite ont été fixés sur la surface du tampon dur, est montée sur un dispositif de broyage. Un produit d'oxyde est généré par la plaque de broyage et la surface est broyée alors que le produit d'oxyde est éliminé.
(JA) この単結晶SiC基板の表面加工方法では、平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶SiCよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも1種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)