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1. (WO2014126150) 半導体素子用封止シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/126150    国際出願番号:    PCT/JP2014/053321
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 13.02.2014
IPC:
H01L 23/28 (2006.01), B32B 3/30 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
発明者: TORINARI, Tsuyoshi; (JP).
SHIMIZU, Yusaku; (JP).
TOYODA, Eiji; (JP)
代理人: UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2013-027942 15.02.2013 JP
2014-022331 07.02.2014 JP
発明の名称: (EN) SEALING SHEET FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) FEUILLE DE SCELLAGE POUR ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子用封止シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a sealing sheet for a semiconductor element, and a production method, with which a semiconductor device enabling information referred to by markings to be rendered satisfactorily visible can be produced. The present invention relates to a sealing sheet for a semiconductor element, said sealing sheet being provided with: a release film provided with a surface state in which the surface smoothness (Ra) is 0.1-0.5 µm and the unevenness average interval (RSm) is 90-125 µm; and a sealing-material layer disposed upon the release film.
(FR)L'invention concerne une feuille de scellage pour un élément semi-conducteur, et un procédé de fabrication, avec lesquels un dispositif semi-conducteur permettant à des informations concernant des repères d'être rendues visibles de manière satisfaisante peut être produit. La présente invention concerne une feuille de scellage pour un élément semi-conducteur, ladite feuille de scellage comprenant : un film de décollement comprenant un état de surface dans lequel la rugosité de surface (Ra) est de 0,1 à 0,5 µm et l'intervalle moyen d'irrégularité (RSm) est de 90 à 125 µm ; et une couche de matériau de scellage disposée sur le film de décollement.
(JA) マーキングで付された情報を良好に視認可能な半導体装置を製造できる半導体素子用封止シート及び製造方法を提供する。 表面平滑性(Ra)0.1~0.5μm及び凹凸平均間隔(RSm)90~125μmの表面状態を備える離型フィルム、並びに前記離型フィルム上に配置された封止材層を備える半導体素子用封止シートに関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)