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1. (WO2014125953) ガスバリア性フィルムの製造方法、およびガスバリア性フィルムを含む電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125953    国際出願番号:    PCT/JP2014/052462
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 03.02.2014
IPC:
C23C 16/30 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
出願人: KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
発明者: MORI, Takahiro; (JP)
代理人: HATTA & ASSOCIATES; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
優先権情報:
2013-028448 15.02.2013 JP
発明の名称: (EN) GAS BARRIER FILM MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING GAS BARRIER FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM BARRIÈRE AUX GAZ ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN FILM BARRIÈRE AUX GAZ
(JA) ガスバリア性フィルムの製造方法、およびガスバリア性フィルムを含む電子デバイス
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a gas barrier film, which, when the gas barrier film is used as a material for an electronic device, is capable of maintaining high gas barrier properties while providing the electronic device with adequate flex resistance. A gas barrier film manufacturing method for manufacturing a gas barrier film by conveying a substrate inside a vacuum chamber of a film-forming device with the substrate wound around a pair of opposing film-forming rolls while supplying a film-forming gas and generating a discharge plasma in the film-forming space (S) between the pair of film-forming rolls to laminate a gas barrier film on the substrate. The method comprises a process for forming an nth gas barrier film (n is a natural number) on the substrate and a process for forming an (n+1)th gas barrier film on the nth gas barrier film. The gas barrier film comprises one or more gas barrier film combinations for which the film thickness difference index (ID) represented by the numerical expression (1) falls in the range of 2% to less than 20%.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour la fabrication d'un film barrière aux gaz, lequel, lorsqu'il est utilisé comme matériau pour un dispositif électronique, peut conserver des propriétés de barrière aux gaz élevées tout en conférant au dispositif électronique une résistance à la flexion adéquate. Le procédé de fabrication de film barrière aux gaz pour la fabrication d'un film barrière aux gaz consiste à transporter un substrat à l'intérieur d'une chambre à vide d'un dispositif de formation de film, le substrat étant enroulé autour d'une paire de rouleaux de formation de film opposés, tout en introduisant du gaz de formation de film et en produisant un plasma de décharge dans l'espace de formation de film (S) entre la paire de rouleaux de formation de film pour stratifier un film barrière aux gaz sur le substrat. Le procédé comprend un processus pour la formation d'un nième film barrière aux gaz (n représente un nombre naturel) sur le substrat et un processus pour la formation d'un (n+1)ième film barrière aux gaz sur le nième film barrière aux gaz. Le film barrière aux gaz comprend une ou plusieurs combinaisons de films barrière aux gaz pour lesquelles l'indice de différence d'épaisseur des films (ID) représenté par l'expression numérique (1) s'inscrit dans la plage de 2 % à moins de 20 %.
(JA) ガスバリア性フィルムを電子デバイスの材料として使用したときに、高いガスバリア性を維持しつつ、電子デバイスが十分な耐屈曲性を備えることができるガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。成膜装置の真空チャンバー内において、基材を、対抗する成膜ロール対に巻き掛けた状態で搬送しながら、成膜ロール対の間の成膜空間Sに成膜ガスを供給しつつ放電プラズマを発生させて基材にガスバリア膜を積層してガスバリア性フィルムを製造するガスバリア性フィルムの製造方法であって、基材上に第nガスバリア膜(nは自然数)を形成する工程と、上記第nガスバリア膜上に第(n+1)ガスバリア膜を形成する工程と、を含み、下記数式1で示す膜厚差指標Iが2%以上、かつ20%未満の範囲に入るガスバリア膜の組み合わせを1つ以上有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)