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1. (WO2014125950) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125950    国際出願番号:    PCT/JP2014/052428
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 03.02.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PS5 LUXCO S.A.R.L. [LU/LU]; 208 Val des Bons Malades L-2121 Luxembourg (LU) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
TANAKA, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: TANAKA, Katsuhiko; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2013-028941 18.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: an active region demarcated at a semiconductor substrate; a trench that is formed at the active region and that has a bottom and a top; a gate insulating film that covers the inner wall surface of both the top and the bottom of the trench; a seed layer that opposes the inner wall surface of the bottom of the trench with the gate insulating film therebetween; and a metal electrode having a first section, which is embedded in the trench and opposes the inner wall surface of the bottom of the trench with the seed layer and gate insulating film therebetween, and a second section, which opposes the inner wall surface of the top of the trench with the gate insulating layer therebetween and without the seed layer therebetween.
(FR)Ce dispositif à semi-conducteurs comprend : une région active délimitée au niveau d'un substrat à semi-conducteurs; une tranchée qui est formée au niveau de la région active et qui présente une partie inférieure et une partie supérieure; un film isolant de grille qui recouvre la surface de la paroi interne des parties supérieure et inférieure de la tranchée; une couche de germe opposée à la surface de la paroi interne de la partie inférieure de la tranchée et entre lesquelles se trouve le film isolant de grille; et une électrode métallique comportant une première section qui est encastrée dans la tranchée et opposée à la surface de la paroi interne de la partie inférieure de la tranchée, et entre lesquelles se trouvent la couche de germe et le film isolant de grille, et une seconde section qui est opposée à la surface de la paroi interne de la partie supérieure de la tranchée et entre lesquelles se trouve la couche isolante de grille, sans la couche de germe.
(JA) 半導体装置は、半導体基板に規定された活性領域と、活性領域に形成され、下部と上部を有するトレンチと、トレンチの下部および上部の両方の内壁面を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介してトレンチの下部の内壁面と対向するシード層と、トレンチを埋設し、シード層及びゲート絶縁膜を介してトレンチの下部の内壁面と対向する第1の部分と、シード層を介することなくゲート絶縁膜を介してトレンチの上部の内壁面と対向する第2の部分とを有する金属電極と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)