WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014125904) 裏面入射型エネルギー線検出素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125904    国際出願番号:    PCT/JP2014/051533
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 24.01.2014
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H04N 5/367 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
発明者: MIYAZAKI Yasuhito; (JP).
MAETA Kentaro; (JP).
MURAMATSU Masaharu; (JP)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2013-025798 13.02.2013 JP
発明の名称: (EN) BACKSIDE-ILLUMINATED ENERGY RAY DETECTION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT RÉTROÉCLAIRÉ DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT ÉNERGÉTIQUE
(JA) 裏面入射型エネルギー線検出素子
要約: front page image
(EN)A backside-illuminated energy ray detection element (1) is provided with a semiconductor substrate (11) and a protective film (21). The semiconductor substrate (11) has a first main surface (11a) that serves as an energy ray incident surface and a second main surface (11b) that is on the opposite side from the first main surface (11a). The semiconductor substrate (11) is provided with a charge generating region (13), which generates charges corresponding to the incidence of an energy ray, on the second main surface (11b) side. The protective film (21) is provided on the second main surface (11b) of the semiconductor substrate (11) so as to cover at least the charge generating region (13), and contains silicon nitride or silicon oxynitride. The protective film (21) has a stress relaxation part for relaxing the stress generated in the protective film (21).
(FR)L'invention concerne un élément rétroéclairé de détection de rayonnement énergétique (1) qui comprend un substrat de semi-conducteur (11) et un film protecteur (21). Le substrat de semi-conducteur (11) comprend une première surface principale (11a) qui sert de surface d'incidence de rayonnement énergétique et une seconde surface principale (11b) qui est sur le côté opposé à la première surface principale (11a). Le substrat de semi-conducteur (11) est pourvu d'une région de génération de charge (13), qui génère des charges correspondant à l'incidence d'un rayon énergétique, sur le côté de seconde surface principale (11b). Le film protecteur (21) est agencé sur la seconde surface principale (11b) du substrat de semi-conducteur (11) de façon à recouvrir au moins la région de génération de charge (13), et contient du nitrure de silicium ou de l'oxynitrure de silicium. Le film protecteur (21) comprend une partie de relaxation de contrainte pour relaxer la contrainte générée dans le film protecteur (21).
(JA) 裏面入射型エネルギー線検出素子1は、半導体基板11と、保護膜21と、を備えている。半導体基板11は、エネルギー線入射面としての第一主面11aと、第一主面11aに対向する第二主面11bと、を有し、エネルギー線の入射に応じて電荷を発生する電荷発生領域13が第二主面11b側に設けられている。保護膜21は、電荷発生領域13を少なくとも覆うように半導体基板11の第二主面11b側に設けられ、シリコン窒化物又はシリコン窒化酸化物を含んでいる。保護膜21は、保護膜21に発生する応力を緩和させる応力緩和部を有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)