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1. (WO2014125898) CIGS膜およびそれを用いたCIGS太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125898    国際出願番号:    PCT/JP2014/051505
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 24.01.2014
IPC:
H01L 31/065 (2012.01), H01L 31/0749 (2012.01), C01B 19/04 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimohozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
発明者: TERAJI Seiki; (JP).
NISHII Hiroto; (JP).
WATANABE Taichi; (JP).
YAMAMOTO Yusuke; (JP).
KAWAMURA Kazunori; (JP).
MINEMOTO Takashi; (JP).
CHANTANA Jakapan; (JP)
代理人: SAITOH Yukihiko; City Corp. Minamimorimachi 802, 2-7, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
優先権情報:
2013-024574 12.02.2013 JP
発明の名称: (EN) CIGS FILM AND CIGS SOLAR CELL USING SAME
(FR) FILM EN SÉLÉNIURE DE CUIVRE-INDIUM-GALLIUM (CIGS) ET CELLULE SOLAIRE EN CIGS L'UTILISANT
(JA) CIGS膜およびそれを用いたCIGS太陽電池
要約: front page image
(EN)A CIGS film that can inhibit surface oxidation is provided, as is a CIGS solar cell that uses said CIGS film to minimize decreases and variability in conversion efficiency. Said CIGS film, which is used as a light-absorbing layer in said CIGS solar cell, has the following regions: a first region in which a Ga/(In+Ga) ratio gradually decreases with increasing distance from the bottom surface of the CIGS film, up to a prescribed first thicknesswise position; a second region in which the Ga/(In+Ga) ratio gradually increases with increasing distance from the first region, up to a prescribed second thicknesswise position; and a third region in which the Ga/(In+Ga) ratio gradually decreases from the top of the second region to the top surface of the CIGS film.
(FR)L'invention concerne un film en séléniure de cuivre-indium-gallium (CIGS) qui peut empêcher une oxydation de surface, de même qu'une cellule solaire en CIGS qui utilise ledit film en CIGS pour rendre minimales des diminutions et une variabilité du rendement de conversion. Ledit film en CIGS, qui est utilisé en tant que couche d'absorption de lumière dans ladite cellule solaire en CIGS, comprend les régions suivantes : une première région dans laquelle un rapport Ga/(In+Ga) diminue de manière graduelle à mesure que la distance augmente à partir de la surface inférieure du film en CIGS, jusqu'à une première position prescrite dans la direction de l'épaisseur ; une deuxième région dans laquelle le rapport Ga/(In+Ga) augmente de manière graduelle à mesure que la distance augmente à partir de la première région, jusqu'à une seconde position prescrite dans la direction de l'épaisseur ; et une troisième région dans laquelle le rapport Ga/(In+Ga) diminue de manière graduelle à partir de l'extrémité supérieure de la deuxième région jusqu'à la surface supérieure du film en CIGS.
(JA) 表面の酸化を抑制することができるCIGS膜、およびそのCIGS膜を用いて変換効率の低下とばらつきとを抑制したCIGS太陽電池を提供する。そのCIGS太陽電池の光吸収層として用いられるCIGS膜は、その裏面から所定の第1厚み位置まで厚くなるにつれてGa/(In+Ga)比が徐々に減少する第1領域と、この第1領域上から所定の第1厚み位置まで厚くなるにつれて上記Ga/(In+Ga)比が徐々に増加する第2領域とを有し、さらに、上記第2領域上に、表面に向かって上記Ga/(In+Ga)比が徐々に減少する第3領域を有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)