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1. (WO2014125890) 基板、半導体装置、撮像装置および基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125890    国際出願番号:    PCT/JP2014/051389
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 23.01.2014
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
発明者: MIGITA Chihiro; (JP).
KIKUCHI Hiroshi; (JP).
TAKEMOTO Yoshiaki; (JP)
代理人: TANAI Sumio; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2013-024327 12.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT
(JA) 基板、半導体装置、撮像装置および基板の製造方法
要約: front page image
(EN)A substrate which is provided with: a base that has a predetermined thickness; and an electrode part that is formed on one surface of the base in the thickness direction. The electrode part is provided with: a first bump that is formed so as to protrude from the one surface of the base and has conductive first crystal grains; and a second bump that is formed on the first bump and has conductive second crystal grains. The crystal grain sizes of the first crystal grains are larger than the crystal grain sizes of the second crystal grains.
(FR)L'invention concerne un substrat qui comprend : une base qui a une épaisseur prédéterminée ; et une partie d'électrode qui est formée sur une surface de la base dans la direction de l'épaisseur. La partie d'électrode comprend : une première bosse qui est formée de façon à faire saillie à partir de ladite une surface de la base et qui comprend des premiers grains cristallins conducteurs ; et une seconde bosse qui est formée sur la première bosse et qui comprend des seconds grains cristallins conducteurs. Les tailles de grain cristallin des premiers grains cristallins sont supérieures aux tailles de grain cristallin des seconds grains cristallins.
(JA) 所定の厚さを有する基材と、前記基材の厚さ方向の一方の面に形成された電極部とを備える基板であって、前記電極部は、前記基材の一方の面から突出するように形成され、導電性の第一の結晶粒を有する第一のバンプと、前記第一のバンプに積層して形成され、導電性の第二の結晶粒を有する第二のバンプと、を備え、前記第一の結晶粒の結晶粒径は、前記第二の結晶粒の結晶粒径よりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)