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1. (WO2014125862) クランプ素子を備えた半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125862    国際出願番号:    PCT/JP2014/050672
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 16.01.2014
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), G05F 3/18 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: SEIKO INSTRUMENTS INC. [JP/JP]; 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba 2618507 (JP)
発明者: RISAKI, Tomomitsu; (JP)
代理人: UCHINO, Noriaki; c/o SEIKO INSTRUMENTS INC., 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba 2618507 (JP)
優先権情報:
2013-024973 12.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CLAMP ELEMENT
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN ÉLÉMENT DE BLOCAGE
(JA) クランプ素子を備えた半導体装置
要約: front page image
(EN)In order to provide a semiconductor device that includes a clamp element having a clamp voltage hardly dependent on temperature and having a small area, the clamp voltage of the clamp element is a voltage obtained by summing a forward drop voltage of a forward diode (10) made of polysilicon having a negative temperature coefficient and a breakdown voltage of a reverse diode (20) having a positive temperature coefficient. The positive temperature coefficient of the reverse diode is decreased for the negative temperature coefficient of the forward voltage of the forward diode (10), whereby the temperature dependency of the clamp voltage is decreased and flattened.
(FR)Selon l'invention, afin de fournir un dispositif semi-conducteur qui comprend un élément de blocage ayant une tension de blocage dépendant fortement de la température et ayant une faible taille de surface, la tension de blocage de l'élément de blocage est une tension obtenue par sommation d'une chute de tension directe d'une diode directe (10) faite de polysilicium ayant un coefficient de température négatif et une tension de rupture d'une diode inverse (20) ayant un coefficient de température positif. Le coefficient de température positif de la diode inverse diminue pour le coefficient de température négatif de la tension directe de la diode directe (10), ce par quoi la dépendance en température de la tension de blocage est diminuée et aplatie.
(JA) クランプ電圧が温度に依存しにくく、面積が小さいクランプ素子を備えた半導体装置とするために、クランプ素子のクランプ電圧は、負の温度係数を有するポリシリコンの順方向ダイオード10の順方向降下電圧と、正の温度係数を有する逆方向ダイオード20のブレークダウン電圧との合計電圧とする。順方向ダイオード10の順方向電圧の負の温度係数の分、逆方向ダイオードによる正の温度係数が小さくなり、クランプ電圧の温度依存性が小さく、平坦になる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)